流體包裹體，一種來(lái)源于原生成礦流體，或是在后期地質(zhì)作用中被石英捕獲的流體，是石英中典型的流體雜質(zhì)；特別是一些被包裹于石英晶體中的微小氣、液包裹體，很難有效地被常規的選礦技術(shù)分離。
　　
　　1、焙燒/煅燒
　　
　　焙燒/煅燒是目前通行的活化與去除流體包裹體的主流方法。一般而言，700℃被認為是大多數流體包裹體的爆裂溫度，這是因為以往的熱爆裂-聲學(xué)測試研究表明：幾乎所有的流體包裹體在700℃時(shí)均因升溫、膨脹而熱爆裂。
　　
　　熱爆裂-聲學(xué)測試法是測量不透明礦物中流體包裹體的爆裂溫度的一種重要技術(shù)，該方法利用錄音機記錄不同溫度下流體包裹體的爆裂頻率，以確定活化流體雜質(zhì)的臨界溫度。然而，以往的研究表明，石英在573℃左右的相變作用可以明顯地觸發(fā)流體包裹體的爆裂。因此，在600～700℃焙燒/煅燒可以有效地去除石英顆粒表層的流體包裹體，但只能激活石英顆粒內部的流體包裹體，使這部分流體雜質(zhì)僅擴散到依舊封閉的石英裂縫中，從而實(shí)現再平衡。
　　
　　因此，石英中流體包裹體的活化溫度可以通過(guò)熱爆裂-聲學(xué)測試法來(lái)獲得，但儀器記錄的卻不是流體包裹體被釋放的臨界溫度。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，石英主礦物在600～700℃煅燒時(shí)，聲學(xué)儀器可以記錄到熱爆裂聲音，但并不意味著(zhù)在后續的石英洗滌過(guò)程中，流體包裹體包含NaCl等雜質(zhì)能夠被有效分離。
　　
　　研究結果表明，在900℃而不是700℃煅燒能有效地去除石英中的流體包裹體。在室溫至700℃的加熱過(guò)程中，石英相變會(huì )引起流體包裹體的減少；煅燒過(guò)程中由于α石英向β-石英轉變而造成的石英密度損失以微裂紋的形式體現，深層流體包裹體在β-石英穩定場(chǎng)中重新平衡，而沒(méi)有從石英中去除。
　　
　　熱爆裂-水浸-電感耦合等離子光譜結合技術(shù)，即利用超純水浸出不同溫度煅燒后的石英砂，然后用ICP（OES或MS）技術(shù)對浸出液進(jìn)行分析，以計算流體包裹體中典型元素（Na、Ca、Mg等）的分離效率；根據較佳分離效率，得到900℃的較佳煅燒溫度，并能反映流體包裹體的實(shí)際釋放溫度。因此，通過(guò)熱爆裂-水浸-電感耦合等離子光譜結合技術(shù)可以準確地確定陽(yáng)離子含量和臨界溫度。
　　
　　在870℃左右，β-石英和β-鱗石英之間的相變對去除微米級和納米級流體包裹體具有更加重要意義。因為β-石英向β-鱗石英轉變時(shí)，因微裂紋引起的石英密度變化更大，在相變過(guò)程中釋放流體包裹體的活化能大大降低，這也是900℃煅燒能有效地去除石英中的流體包裹體的根本原因。此外，微小的流體包裹體獲得了足夠的能量來(lái)打破Si-O-Si鍵壁壘。更重要的是，通過(guò)控制煅燒溫度，在β-石英和β-鱗石英之間的實(shí)現重復相變，可以促進(jìn)微米級和納米級流體包裹體的一系列熱爆裂。對于一些聚集性的流體包裹體，高溫煅燒有助于形成更多的遷移通道；通過(guò)化學(xué)浸出等手段進(jìn)一步去除遷移通道中殘留的流體雜質(zhì)。
　　
　　2、微波輔助加溫爆裂技術(shù)
　　微波輔助加溫爆裂技術(shù)也是近年來(lái)興起的新型流體包裹體分離技術(shù)。劉泰榮首次將微波輔助技術(shù)應用于石英砂的流體包裹體分離，其將微波作為“體熱源”，研究了石英砂在微波場(chǎng)中加熱至不同溫度時(shí)對氣液包裹體的去除影響，建立了氣液包裹體一元純水體系熱爆裂模型；石英砂在微波場(chǎng)中加熱至600℃、900℃時(shí)，樣品中的氣液包裹體含量急劇下降；最后采用微波后再酸洗的工藝進(jìn)一步去除石英砂中氣液包裹體及主要的雜質(zhì)離子。
　　
　　微波輔助加溫爆裂技術(shù)實(shí)質(zhì)上是改變了體熱源，利用微波選擇性地加熱流體包裹體，實(shí)現流體包裹體的爆裂。需要注意的是，微波輔助加溫對Si-O-Si鍵的削弱有限，對次生、假次生流體包裹體的分離可能有效，對高品質(zhì)石英中微小原生包裹體的分離效果還需持續關(guān)注。
　　
　　3、破碎與磨礦工藝
　　
　　破碎與磨礦工藝也是暴露、去除流體包裹體的常見(jiàn)方法。Yuan等認為經(jīng)破碎與磨礦后的石英砂表面充分暴露有各類(lèi)流體包裹體坑洞，具有較高流體包裹體豐度的石英更有可能與Fe3+充分結合；利用十二烷基磺酸鈉捕收從而實(shí)現較高水平的浮選回收率；研究表明，石英表面與Fe3+之間的吸附是一個(gè)化學(xué)吸附過(guò)程，這與可能與石英砂表面來(lái)源于流體包裹體的Si-OH有關(guān)。
　　
　　破碎與磨礦工藝能夠一定程度上選擇性暴露次生、假次生流體包裹體，利用浮選直接分離整個(gè)石英顆粒，或利用水/酸浸出分離表面雜質(zhì)。但這些工藝對高品質(zhì)石英中微小原生包裹體的選擇性低。
　　
　　資料來(lái)源：《林敏,徐順秋,劉子源,魏炎,劉斌,孟雨,邱航,雷紹民.高純石英（SiO2）評述（三）：流體包裹體的分析、活化與分離[J].礦產(chǎn)綜合利用,2022(06):26-29》，由【粉體技術(shù)網(wǎng)】編輯整理，轉載請注明出處！