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| 一種碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法 |
| 本發(fā)明涉及一種復合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用反應熔滲法制備涂層,可實(shí)現制備涂層的同時(shí)進(jìn)一步提高基材的致密度；通過(guò)碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。[詳細] |
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| 一種超薄碳化硅材料的制備方法 |
| 本發(fā)明涉及一種超薄碳化硅材料的制備方法，本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單，制得的超薄碳化硅（5納米厚度以下）是一種具有寬禁帶并且能夠穩定存在的二維材料，它的誕生克服了石墨烯沒(méi)有禁帶和單層二硫化鉬不能穩定存在的缺點(diǎn)。[詳細] |
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| 一種作為有機復合材料增強體的碳化硅粉體的制備方法 |
| 本發(fā)明公開(kāi)了一種作為有機復合材料增強體的碳化硅粉體的制備方法，本發(fā)明能夠有效改善碳化硅粉體與有機復合材料的親和性，提高其填充時(shí)的相容性和分散性，改善制品的綜合性能，且工藝簡(jiǎn)單，容易控制。[詳細] |
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| 一種汽車(chē)用含SiC顆粒的高強高模量稀土鎂基復合材料 |
| 本發(fā)明公開(kāi)了一種含SiC顆粒的高強高模量稀土鎂基復合材料。它包括下述重量百分比含量的組分：1 0～15 0%重稀土，1 0～10 0%釔和 或釹，1 0～15 0%SiC，余量為鎂；各組分重量百分之和為100%。[詳細] |
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| 一種氮化硅納米線(xiàn)增強氮化硅多孔陶瓷的方法 |
| 本發(fā)明是一種高孔隙率、高強度的氮化硅納米線(xiàn)增強氮化硅多孔陶瓷的制備方法，其原理為利用造孔劑和磷酸鹽粘結作用在較低溫度下形成高孔隙率的氮化硅多孔結構，在后續高溫燒制過(guò)程中利用納米硅粉的氮化原位生成氮...[詳細] |
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| 雙層氮化硅減反射膜及其制備方法 |
| 本發(fā)明公開(kāi)了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2 2～2 5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2 0～2 05。制...[詳細] |
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| 碳化硅濾餅旋流提純工藝 |
| 本發(fā)明涉及碳化硅濾餅旋流提純工藝，步驟如下：(1)碳化硅濾餅與水按重量比2∶3混合攪拌均勻；(2)碳化硅濾餅懸浮液經(jīng)過(guò)200目振動(dòng)篩過(guò)篩；(3)將碳化硅濾餅懸浮液輸入旋流器進(jìn)行旋流；(4)將步驟(3)獲得的下層碳化...[詳細] |
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| 一種納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法 |
| 本發(fā)明提供了一種納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，該方法通過(guò)將輕質(zhì)納米級碳化硅材料經(jīng)過(guò)顆粒細化處理、均勻彌散分布在鎂合金材料中制備得到一種納米級碳化硅鎂合金材料，該納米級碳化硅鎂合金材料由以下組分...[詳細] |
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