3. <span id="iutc7"><u id="iutc7"></u></span>
      <s id="iutc7"><sub id="iutc7"><sup id="iutc7"></sup></sub></s>

      <span id="iutc7"><u id="iutc7"></u></span>

      專(zhuān)利信息
      		您當前的位置：首頁(yè) > 功能粉體 > 碳化硅 > 專(zhuān)利信息
       
       
      一種碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法
      來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間：2017-02-01 09:19:31    瀏覽次數：
      專(zhuān)利名稱(chēng)：一種碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法
      專(zhuān)利持有人：航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術(shù)研究院
      所屬行業(yè)：復合材料
      內容摘要：本發(fā)明涉及一種復合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用反應熔滲法制備涂層,可實(shí)現制備涂層的同時(shí)進(jìn)一步提高基材的致密度；通過(guò)碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
      信息描述
      申請號：CN201610282651.3
      申請（專(zhuān)利權）人：航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術(shù)研究院
      發(fā)明人：龔曉冬;李軍平;張國兵;孫新;常京華;馮志海

      本發(fā)明涉及一種復合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護技術(shù)領(lǐng)域。將硅粉包埋于碳化硅基復合材料表面,高溫真空熔滲,使復合材料包埋于熔體之中；然后將包覆熔體的復合材料置于過(guò)量碳源之中,再次高溫熱處理。清理表面殘渣后即可得到含有SiC涂層的復合材料。本發(fā)明采用反應熔滲法制備涂層,可實(shí)現制備涂層的同時(shí)進(jìn)一步提高基材的致密度；通過(guò)碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
       
      相關(guān)信息 更多>>
      一種去除碳化硅基底上硅厚膜的方法2013-09-22
      一種中高體分碳化硅鋁基復合材料的制備方法及其裝置2013-11-25
      一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法2013-11-25
      一種碳化硅微粉粒度檢測方法2013-12-10
      一種納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法2014-02-18
      碳化硅濾餅旋流提純工藝2014-02-18
       
      我要評論
      功能粉體
      鈦白粉
      氧化鐵顏料
      珠光云母
      白炭黑
      炭黑
      氧化鋁
      粉煤灰
      金屬硅
      氧化鋅
      碳化硅
      氮化硅
      硅灰
      氫氧化鋁
      鐵粉
      鋁粉
      銅粉
      鋅粉
      納米粉體
      其他粉體技術(shù)
      查看全部
      自愉自愉自产国产91|性欧美VIDEOFREE护士动漫3D|无码办公室丝袜OL中文字幕|超频国产在线公开视频|亚洲国产人成自精在线尤物

        3. <span id="iutc7"><u id="iutc7"></u></span>
          <s id="iutc7"><sub id="iutc7"><sup id="iutc7"></sup></sub></s>

          <span id="iutc7"><u id="iutc7"></u></span>