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      雙層氮化硅減反射膜及其制備方法
      來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間：2014-02-20 13:42:17    瀏覽次數：
      專(zhuān)利名稱(chēng)：雙層氮化硅減反射膜及其制備方法
      專(zhuān)利持有人：上海艾力克新能源有限公司
      所屬行業(yè)：
      內容摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2 2～2 5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2 0～2 05。制備時(shí)，取拋光單晶硅片，設定沉積溫度、沉積...
      信息描述
      發(fā)明人：戴熙明,陳博,武俊喜   
      申請人：上海艾力克新能源有限公司 
      申請號：CN201310060954.7 
             本發(fā)明公開(kāi)了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2.2～2.5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2.0～2.05。制備時(shí)，取拋光單晶硅片，設定沉積溫度、沉積壓強和沉積功率恒定，采用PEVCD工藝在硅片的行進(jìn)方向上設定兩組先小后大的氨氣與硅烷的氣流量比參數和沉積時(shí)間，制得雙層氮化硅減反射膜。本發(fā)明通過(guò)現有資源、在不添加其它設備等材料情況下、在同一臺設備上通過(guò)兩個(gè)工藝步驟達到制成兩層相同質(zhì)地但是不同性能參數的減反射膜、從而達到增加晶體硅表面鈍化效果、減少晶硅表面的太陽(yáng)光反射效果、增加硅片對長(cháng)短波的吸收、提高效率。



      http://roanjohns.com/uploadfile/2014/0220/20140220015357211.pdf
       
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