申請號：CN201410511422

申請（專(zhuān)利權）人：浙江大學(xué)；

發(fā)明人：林時(shí)勝；章盛嬌；李曉強；吳志乾；

本發(fā)明涉及一種超薄碳化硅材料的制備方法，將硅源與碳源相距0-100cm放置于反應爐管內；以1℃/min-300℃/min的速率升溫至600℃－2300℃，反應爐管抽至真空度為10-5-105Pa，在保護氣氛下反應1-2880min；然后以1℃/min-500℃/min的速率冷卻至室溫，得到超薄碳化硅材料。本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單，制得的超薄碳化硅（5納米厚度以下）是一種具有寬禁帶并且能夠穩定存在的二維材料，它的誕生克服了石墨烯沒(méi)有禁帶和單層二硫化鉬不能穩定存在的缺點(diǎn)?？蓮V泛用于量子光源、光電、半導體原型器件、微電子電路、射頻器件、集成電路、光催化、海水淡化、納米能源、復合材料等技術(shù)領(lǐng)域。