|
| 一種制備復雜形狀多孔氮化硅陶瓷制品的方法 |
| 本發(fā)明涉及一種制備復雜形狀多孔氮化硅陶瓷制品的方法，首先將Si3N4粉、Si粉、燒結助劑，造孔劑、硅溶膠制備混合漿料。[詳細] |
|
|
| 一種制備復雜形狀多孔氮化硅陶瓷制品的方法 |
| 本發(fā)明涉及一種制備復雜形狀多孔氮化硅陶瓷制品的方法，首先將Si3N4粉、Si粉、燒結助劑，造孔劑、硅溶膠制備混合漿料。[詳細] |
|
|
| 一種制備梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法 |
| 本發(fā)明涉及一種制備梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法，所述方法包括：1）將氮化硅粉體、燒結助劑、粘結劑與水混合球磨，得到水基漿料；2）將水基漿料在50~90kPa的真空度下發(fā)泡并同時(shí)進(jìn)行冷凍凍結，然后進(jìn)行冷凍干燥...[詳細] |
|
|
| 氮化硅溶液及其制備方法、多晶硅鑄錠用坩堝及其制備方法 |
| 本發(fā)明提供了一種氮化硅溶液及其制備方法。所述氮化硅溶液的制備方法，包括：將氮化硅粉末與去離子水混合，然后加入鹽酸，攪拌后得到氮化硅溶液。本發(fā)明還提供了多晶硅鑄錠用坩堝及其制備方法。所述多晶硅鑄錠用...[詳細] |
|
|
| 一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法 |
| 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法，應用于具有氮化硅層和氧化層的半導體結構的刻蝕工藝，且氮化硅層覆蓋于氧化層的上表面，方法包括：采用包含有添加劑的磷酸化學(xué)液對所述氮化硅層進(jìn)行刻蝕...[詳細] |
|
|
| 一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法 |
| 本發(fā)明公開(kāi)了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法，優(yōu)化了工藝，減小成本，同時(shí)能夠改善器件性能。[詳細] |
|
|
| 一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法 |
| 發(fā)明人：鄭治祥，姜坤申請人：合肥工業(yè)大學(xué)申請號：CN201210045285.1 本發(fā)明公開(kāi)了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法，是以水玻璃為硅源，常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠，向硅酸...[詳細] |
|
|
| 硅粉在中溫微正壓條件下氮化合成氮化硅粉體的方法 |
| 發(fā)明人：李江濤，楊建輝，楊增朝，韓林森，王福，陳義祥申請人：中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所申請號：CN201110296695.9 本發(fā)明屬于非氧化物氮化硅陶瓷粉體的制備，涉及在中溫微正壓條件下，以溫度場(chǎng)誘發(fā)硅粉燃燒方...[詳細] |
|
|
|
