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一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法

來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2013-09-22 09:25:06 瀏覽次數：

專(zhuān)利名稱(chēng)：一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法
專(zhuān)利持有人：上海華力微電子有限公司
所屬行業(yè)：
內容摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法，優(yōu)化了工藝，減小成本，同時(shí)能夠改善器件性能。

信息描述

發(fā)明人：徐強
申請人：上海華力微電子有限公司
申請號：CN201210158843.5
本發(fā)明公開(kāi)了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其中，包括下列步驟：提供一種具有NMOS晶體管和PMOS晶體管的半導體襯底；在所述半導體襯底上沉積一層第一氮化硅層；在所述第一氮化硅層的表面沉積一層第二氮化硅層，所述第二氮化硅層為摻雜有雜質(zhì)元素的氮化硅層，所述第一氮化硅層和所述第二氮化硅層組成高拉應力的氮化硅薄膜；蝕刻所述PMOS晶體管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅層和第二氮化硅層；對所述半導體襯底進(jìn)行快速熱退火工藝；對所述NMOS晶體管進(jìn)行刻蝕，去除NMOS晶體管表面的第一氮化硅層和第二氮化硅層。本發(fā)明的目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法，優(yōu)化了工藝，減小成本，同時(shí)能夠改善器件性能。

http://roanjohns.com/uploadfile/2013/0922/20130922092941221.pdf

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