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一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法 |
來(lái)源: 更新時(shí)間:2013-06-11 21:23:07 瀏覽次數: |
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專(zhuān)利名稱(chēng):一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法
專(zhuān)利持有人:合肥工業(yè)大學(xué)
所屬行業(yè):
內容摘要:發(fā)明人:鄭治祥,姜坤申請人:合肥工業(yè)大學(xué)申請號:CN201210045285.1 本發(fā)明公開(kāi)了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法,是以水玻璃為硅源,常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠,向硅酸凝膠中加水稀釋后抽慮以除去硅酸凝膠中的鈉... |
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發(fā)明人:鄭治祥,姜坤
申請人:合肥工業(yè)大學(xué)
申請號:CN201210045285.1
本發(fā)明公開(kāi)了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法,是以水玻璃為硅源,常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠,向硅酸凝膠中加水稀釋后抽慮以除去硅酸凝膠中的鈉離子,隨后加入炭黑,碳硅摩爾比為2-4.5∶1,混合均勻后干燥得到前驅體;將前驅體在氮氣氣氛中于1300-1450℃保溫3-10小時(shí)得到粗產(chǎn)品;將粗產(chǎn)品于650℃熱處理4-6小時(shí)得到亞微米級單相α-Si3N4粉體。本發(fā)明方法工藝流程簡(jiǎn)單,原料價(jià)格低廉;合成溫度比一般現有技術(shù)低,合成的氮化硅粉體較純凈,硅酸前驅體的疏松多孔性有利于高溫反應時(shí)N2的自由通透,大大提高了氮化率,抑制了雜質(zhì)相SiC的產(chǎn)生。
http://roanjohns.com/uploadfile/2013/0926/20130926091310461.pdf
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