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      硅粉在中溫微正壓條件下氮化合成氮化硅粉體的方法
      來(lái)源:    更新時(shí)間:2013-06-11 21:20:15    瀏覽次數:
      專(zhuān)利名稱(chēng):硅粉在中溫微正壓條件下氮化合成氮化硅粉體的方法
      專(zhuān)利持有人:中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
      所屬行業(yè):
      內容摘要:發(fā)明人:李江濤,楊建輝,楊增朝,韓林森,王福,陳義祥申請人:中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所申請號:CN201110296695.9 本發(fā)明屬于非氧化物氮化硅陶瓷粉體的制備,涉及在中溫微正壓條件下,以溫度場(chǎng)誘發(fā)硅粉燃燒方式合成氮化硅粉體的方法。本發(fā)明是以硅粉和...
      信息描述
      發(fā)明人:李江濤,楊建輝,楊增朝,韓林森,王福,陳義祥   
      申請人:中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所  
      申請號:CN201110296695.9 
              本發(fā)明屬于非氧化物氮化硅陶瓷粉體的制備,涉及在中溫微正壓條件下,以溫度場(chǎng)誘發(fā)硅粉燃燒方式合成氮化硅粉體的方法。本發(fā)明是以硅粉和含氮化合物為原料,按不同的組分配比配制成反應混合料,經(jīng)短時(shí)間研磨混合后,將混合料裝于料舟內,并放入密閉的可加熱耐壓的反應爐中,經(jīng)抽真空后充入一定壓力的含氮非氧化性氣體。通電預熱混合料,溫度升至500~900℃,通過(guò)局部加熱或預埋點(diǎn)火塊自燃方式,引發(fā)燃燒合成反應,合成后的氮化硅產(chǎn)物隨爐冷卻,經(jīng)初碎后得到所述的氮化硅粉體。本發(fā)明結合了硅粉高溫氮化工藝和硅粉燃燒合成氮化硅工藝的優(yōu)點(diǎn),降低了氮化反應溫度和合成所需的壓力,縮短了生產(chǎn)周期,大幅度降低了氮化硅粉體的生產(chǎn)成本。


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