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| 物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底 |
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（中國粉體技術(shù)網(wǎng) 班建偉）碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點(diǎn)，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮...[詳細] |
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| 無(wú)壓燒結制備表面微孔碳化硅陶瓷 |
| 浙江大學(xué)郭興忠等以碳化硅(SiC)微粉為骨料,Al2O3-Y2O3為燒結助劑,氯化鈣(CaCl2)作為造孔劑,采用無(wú)壓液相燒結制備了表面微孔SiC陶瓷,分析了不同CaCl2含量對SiC陶瓷的燒結性能、顯微結構和摩擦性能的影響。結果表...[詳細] |
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| 木纖維基碳化硅木質(zhì)陶瓷制備工藝 |
| 北京林業(yè)大學(xué)高建民等以楊木纖維為原料,經(jīng)無(wú)膠熱壓成型、碳化及液相滲硅制備木纖維基碳化硅木質(zhì)陶瓷。優(yōu)化了熱壓工藝并獲得具有均一截面密度分布的楊木纖維熱壓成型體,驗證了碳坯對反應燒結工藝的適應性。通過(guò)X...[詳細] |
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| 化學(xué)鍍法制備鈷包覆碳化硅復合粉末的研究 |
| 武漢理工大學(xué)周超蘭等采用化學(xué)鍍法制備鈷包覆碳化硅復合粉末,通過(guò)研究化學(xué)鍍過(guò)程中鈷鹽濃度、還原劑濃度、絡(luò )合劑濃度、緩沖劑濃度、溫度以及pH值等因素對沉積速率的影響規律,得到化學(xué)鍍鈷的優(yōu)化條件。利用XRD、SE...[詳細] |
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| 低熱膨脹系數納米碳化硅/聚酰亞胺復合薄膜的制備與性能 |
| 北京化工大學(xué)和北京科技大學(xué)呂靜等以原位分散聚合法制備出納米碳化硅/聚酰亞胺(n-SiC/PI)復合薄膜,采用SEM、熱機械分析儀(TMA)、阻抗分析儀和熱重分析(TG)研究了所制備薄膜的表面形貌、熱膨脹、介電性能及熱穩...[詳細] |
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| 摻雜碳化硅對納米炭黑導電和吸波性能的影響 |
| 西安高科技研究所吳友朋等在納米炭黑中添加微米碳化硅制備了一種新型的復合吸收劑,并進(jìn)行形貌表征、導電性能和微波吸收性能的測試。測試結果表明:加入碳化硅使得炭黑/環(huán)氧樹(shù)脂復合涂層體電阻率和滲流閾值降低;...[詳細] |
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| 碳化硅/環(huán)氧樹(shù)脂導熱復合材料的制備與性能 |
| 西北工業(yè)大學(xué)顧軍渭等采用澆鑄成型法制備碳化硅/環(huán)氧樹(shù)脂(SiC/EP)導熱復合材料,研究了SiC種類(lèi)、粒徑、用量和表面改性方法對SiC/EP復合材料的導熱性能、力學(xué)性能和熱性能等影響。結果表明:SiC/EP復合材料的導熱...[詳細] |
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