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      技術(shù)成果
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      低熱膨脹系數納米碳化硅/聚酰亞胺復合薄膜的制備與性能
      來(lái)源：復合材料學(xué)報    更新時(shí)間：2013-06-30 18:12:26    瀏覽次數：
       
              北京化工大學(xué)和北京科技大學(xué)呂靜等以原位分散聚合法制備出納米碳化硅/聚酰亞胺(n-SiC/PI)復合薄膜,采用SEM、熱機械分析儀(TMA)、阻抗分析儀和熱重分析(TG)研究了所制備薄膜的表面形貌、熱膨脹、介電性能及熱穩定性。結果表明:SiC粒子均勻分散在PI基體中,復合薄膜的熱膨脹系數(CTE)隨著(zhù)SiC含量的增加逐漸減小,SiC質(zhì)量分數為15%時(shí),CTE降低了11%,且復合膜的熱膨脹系數實(shí)驗值比較接近于Kerner公式的計算值。復合膜的介電常數和介電損耗隨著(zhù)填料含量的變化而變化,但始終維持在較低的范圍內,并在相當大的頻率范圍內保持穩定。


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