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      技術(shù)成果
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      摻雜碳化硅對納米炭黑導電和吸波性能的影響
      來(lái)源：表面技術(shù)    更新時(shí)間：2013-06-30 17:50:56    瀏覽次數：
       
              西安高科技研究所吳友朋等在納米炭黑中添加微米碳化硅制備了一種新型的復合吸收劑,并進(jìn)行形貌表征、導電性能和微波吸收性能的測試。測試結果表明:加入碳化硅使得炭黑/環(huán)氧樹(shù)脂復合涂層體電阻率和滲流閾值降低;炭黑含量較小時(shí),加入碳化硅能有效提高涂層的反射衰減率。在5%(質(zhì)量分數,后同)的炭黑中添加50%的碳化硅制備厚度為2mm的涂層,反射衰減率在7.5-13.5GHz寬頻范圍內均優(yōu)于-10dB,吸收峰最大值達-40dB。


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