球形硅微粉是大規模集成電路封裝和IC基板行業(yè)的關(guān)鍵材料，如用于芯片封裝的環(huán)氧模塑料和液體封裝料以及高性能基板，在航空、航天、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)及特種陶瓷等高新技術(shù)領(lǐng)域有諸多應用。
　　
　　球形硅微粉按照粒度分類(lèi)，可以分為微米球形硅微粉（1-100μm）、亞微米球形硅微粉（0.1-1.0μm）和納米球形硅微粉（1-100nm）等3種類(lèi)型。
　　
　　隨著(zhù)全球電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和4G、5G等技術(shù)的不斷提升，對電子產(chǎn)品輕薄短小、芯片的封裝性能和承載芯片的載板等提出了更高的技術(shù)要求，球形硅微粉也朝著(zhù)粒徑小、性能優(yōu)異的方向發(fā)展，微米級球形硅微粉已不能滿(mǎn)足現有要求。
　　
　　亞微米球形硅微粉具有粒徑小、粒度分布適當、純度高、表面光滑和顆粒間無(wú)團聚等優(yōu)點(diǎn)，能夠彌補微米球形硅微粉的不足。目前，國內外亞微米球形硅微粉的制備方法主要有以下幾種：
　　
　　1、氣相法
　　氣相法是以硅鹵烷作為原料，在高溫條件下水解制備得到超細球形二氧化硅微粉。經(jīng)水解反應的二氧化硅分子互相凝集形成球形顆粒，這些顆?；ハ嗯鲎踩诤闲纬删奂w，這些聚集體便凝聚形成球形粉體。
　　
　　該方法制備的產(chǎn)品中HCl等雜質(zhì)含量高，pH低，不能作為主材料應用于電子產(chǎn)品中，只能少量加入，調整黏度、增加強度等功能，另外原料昂貴，設備要求較高，技術(shù)較復雜。
　　
　　趙宜新等以四氯化硅、氫氣和空氣為原料，并以一定的體積比連續地投入到水解爐中進(jìn)行水解反應，反應溫度為1000-1100℃，反應生成二氧化硅一次離子，該反應物經(jīng)聚集器聚集成聚集態(tài)粒子，經(jīng)旋風(fēng)分離、雙級空氣噴射脫酸、沸騰床篩選、真空壓縮包裝即得到成品。對應的原生粒子平均粒徑為16-23nm，比表面積為279m2/g。經(jīng)聚集形成穩定的聚集體（0.1-0.5μm）。
　　
　　2、化學(xué)合成法
　　化學(xué)合成法制備出的亞微米球形硅微粉致密度通常較低，往往含有較多的細孔，造成比表面積大，同時(shí)存在生產(chǎn)工藝對環(huán)境不友好等不足。
　　
　　文彬采用化學(xué)沉淀法以硅酸鈉為硅源，以聚乙醇-1000和十二烷基苯磺酸鈉（SDBS）組成的復配型表面活性劑為形貌控制劑，無(wú)水乙醇為分散劑，乙酸乙酯為沉淀劑，成功制備了超細球形SiO2粒子。最佳工藝條件為：硅酸鈉濃度為0.6mol/L，復配表面活性劑的用量為2.1wt%，PEG-1000和SDBS的配比為20:1，分散劑無(wú)水乙醇的用量為5.0wt%，沉淀劑乙酸乙酯的用量為8.0wt%，攪拌速度為600r/min，反應時(shí)間為4.0h，得到的SiO2粒子基本為光滑的球形粒子，平均粒徑約為0.4μm，產(chǎn)物產(chǎn)率達93.8%，而且產(chǎn)品的分散性較好，無(wú)明顯的硬團聚產(chǎn)生。
　　
　　李春明等利用實(shí)驗室裝置量取57mL氨水溶液（分析純，25%），加入20mL去離子水及323mL的無(wú)水乙醇配成溶液，在帶有電磁攪拌的恒溫反應器中進(jìn)行反應。然后在25℃恒溫下以0.5g/
　　min的速度將60g正硅酸乙酯（TEOS，分析純）滴入混合液中，當溶液變渾濁時(shí)，暫停滴加，促使形成的氧化硅晶核完善。半小時(shí)后以5G/min的速度滴加剩余的TEOS，滴加結束繼續反應4h，隨后離心過(guò)濾并在40℃下真空干燥后即得到單分散二氧化硅超細顆粒。經(jīng)SEM分析，超細顆粒為0.4μm左右的球形硅微粉。
　　
　　3、火焰法
　　
　　火焰法使用的原料為硅源有機物，對進(jìn)料系統的安全設計要求較嚴格且原料的價(jià)格較高，往往造成產(chǎn)品生產(chǎn)成本較高。
　　
　　尾近敏博等在配有溫度計和螺旋攪拌槳的5L燒瓶中加入2.9%的氨水880mL、水410mL和甲醇2.086mL，置于20℃室溫下，使燒杯保持600r/min攪拌，將正硅酸甲酯68.4mL和甲醇440mL的混合液在75min內勻速滴入燒杯中，滴完后攪拌15min，得到白色漿料，該漿料中含硅1.0%、水20.9%、甲醇67.0%和氨5.1%。接下來(lái)，將漿料和氧氣一起在火焰溫度1180℃的氫氧焰中噴霧，生成的微粒子用袋式過(guò)濾器捕集，得到白色的球形硅微粉粉末。隨后將球形硅微粉用電子顯微鏡觀(guān)測，此時(shí)球形硅微粉的平均粒徑為0.64μm。
　　
　　孟東以六甲基二硅氧烷為前驅體、氬氣為載氣、甲烷為燃氣、氧氣為氧化劑，在擴散火焰燃燒反應器中合成了二氧化硅顆粒，并總結出了影響燃燒合成納米顆粒的主要因素是前驅體流量、火焰溫度和停留時(shí)間。
　　
　　4、自蔓延低溫燃燒法
　　祝淵等采用自行設計的懸浮燃燒爐進(jìn)行球形二氧化硅的合成。試驗中使用的Si粉44μm需
　　要進(jìn)行預處理。步驟如下：
　　1）將硅粉加入1%的NH4CL中，在振動(dòng)球磨上機械活化1.5h，這樣得到的硅粉粒度約為2μm；
　　2）將活化后的硅粉加入1%的聚氧化乙烯（PEO），通過(guò)噴霧干燥得到粒度約為40μm的球形團聚體；
　　3）將預處理好的硅粉通過(guò)送粉器送入懸浮燃燒爐中，在一定的氣流速度、氣壓和溫度下氧化，即得到產(chǎn)物。
　　在FESEM下觀(guān)察產(chǎn)物，發(fā)現產(chǎn)物為粒度均勻分布在50-500nm之間的球形顆粒。同時(shí)XRF結果顯示，產(chǎn)物中硅氧比為1:1.95，可以認為產(chǎn)物基本上為二氧化硅。結合上述分析，此產(chǎn)品為粒度為50-500nm的球形硅微粉。
　　
　　本方法還沒(méi)有實(shí)現大規模工業(yè)化生產(chǎn)，是否可以工業(yè)化生產(chǎn)還需要進(jìn)一步驗證。
　　
　　5、VMC法
　　VMC法是目前實(shí)際銷(xiāo)售產(chǎn)品的制備方法，采用金屬硅制備出的亞微米級球形二氧化硅微粉具有表面光滑、無(wú)定型含量高等特點(diǎn)，但該方法目前被日美所壟斷，進(jìn)行嚴格封鎖，且使用的原料金屬硅容易形成粉塵爆燃，生產(chǎn)過(guò)程中存在較大的安全隱患。
　　
　　VMC法：另外該方法使用的原料Si容易造成粉塵爆燃，存在安全隱患。
　　
　　太田和秀等以金屬粉末為原料，將氬氣和氧氣的混合氣體導入到密閉容器內，以20L/min的流量向燃燒器供給氧氣，以10L/min的流量向燃燒器供給氫氣，利用點(diǎn)火裝置點(diǎn)火，形成由氧氫焰組成的燃燒火焰。然后，通過(guò)控制裝置以0.5S的間隔開(kāi)關(guān)球閥，同時(shí)，用具有1kg/cm2氣體壓力的氫氣將金屬粉末供給燃燒器中。于是，金屬粉末在燃燒器的火口上方飛舞，形成粉塵云。此粉塵云通過(guò)上述燃燒火焰點(diǎn)燃，經(jīng)過(guò)爆燃后能夠獲得大量的氧化物超微粒子。合成產(chǎn)生的氧化物超微粒子云通過(guò)電氣捕集器，完成氧化物超微粒子的采集。將此方法獲得的氧化物超微粒子利用透射電子顯微鏡（TEM）觀(guān)察，可以獲得粒徑約100nm的球形氧化硅微粒子。
　　安部贊等以小于350目的硅粉制備超細球形氧化硅微粒子，以15Nm3/hr的流量供給氧氣。同時(shí)，以0.7Nm3/hr的流量供給LPG，采用點(diǎn)火設施點(diǎn)火形成火源，形成第一反應室。作為載體氣體的氮氣以2kg/cm2、6Nm3/hr的流量，同時(shí)，Si粉以約5kg/hr的流量從料斗供給。利用流過(guò)的氮氣輸送Si粉，Si粉通過(guò)與火源接觸，形成化學(xué)火焰，得到SiO2粉末1。SiO2粉末1在風(fēng)機的吸力作用下，與燃燒排氣（氣氛）同時(shí)輸送到第二反應器的懸浮室中。從空氣供給管以10Nm3/hr的流量供給空氣，稀釋從第一反應器中流出的環(huán)境氣體，同時(shí)，使溫度降低到1000℃。以6Nm3/hr的流量供給氫氣，以4Nm3/hr的流量供給氧氣，點(diǎn)火裝置點(diǎn)燃燃燒器。此時(shí)，因為燃燒器是由第二反應器的切線(xiàn)方向安裝到懸浮室內，因此會(huì )在懸浮室內形成熱的旋流。SiO2粉末1在旋流的作用下長(cháng)時(shí)間停留在懸浮室內。這樣，便形成了NOx附著(zhù)量減少的SiO2粉末。并且，抽吸含有SiO2粉末的燃燒排氣，通過(guò)袋式過(guò)濾器捕集SiO2粉末。上述過(guò)程可得到SiO2粉末的pH值與懸浮室的溫度之間的關(guān)系。懸浮室內的溫度為800-1000℃比較適宜，在此范圍內溫度越高，就越接近中性（pH＝7）。
　　
　　來(lái)源：李曉冬,曹家凱,張建平,等.亞微米球形硅微粉的制備技術(shù)研究進(jìn)展[J].新技術(shù)新工藝,2020(07):24-29.