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      技術(shù)進(jìn)展
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      技術(shù) | 一文了解國內外硅微粉高溫球形化研究現狀!
      來(lái)源:中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間:2019-02-21 17:15:08    瀏覽次數:
       

        高純硅微粉球形化是一項跨學(xué)科的高難度工程,其技術(shù)關(guān)鍵是穩定連續的送粉系統、加熱裝置要求有穩定的溫度場(chǎng)、易于調節的溫度范圍、不對硅微粉造成二次污染的清潔熱源環(huán)境、粘稠的石英熔融霧滴的高效率冷卻與回收。目前,世界上只有日本、美國、中國、加拿大、德國和俄羅斯等少數國家掌握此技術(shù)。
       
      1.國外硅微粉高溫球形化研究現狀
       
        上世紀80年代,國外的一些研究機構如美國的加州大學(xué)、洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗室、加拿大的舍布魯克大學(xué)、日本東京大學(xué)、日本清源研究院等已經(jīng)開(kāi)始球形硅微粉的研究,一些著(zhù)名公司如美國的Basf公司、美國通用公司、德國的德固賽公司、比利時(shí)的矽比科(Sibelco)、加拿大的Tekna公司、日本的Admatechs公司、日本電氣化學(xué)工業(yè)公司、Nippon Aeosil公司、川崎鋼鐵、日本龍森(Tatsumori)、東芝熔融、信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì )社已經(jīng)有相關(guān)專(zhuān)利申報并投入生產(chǎn)。
        目前,國際上研究、生產(chǎn)球形硅微粉的國家主要是美國和日本,生產(chǎn)技術(shù)包括二氧化硅高溫熔融噴射法、高頻感應等離子法、直流等離子法、氣體火焰法和控制正硅酸乙酷、四氯化硅的水解法等。
       
      (1)日本
       
        早在上世紀八十年代,日本就開(kāi)始著(zhù)手開(kāi)發(fā)球形硅微粉制備工藝,并申請了大量的火焰法制備球形硅微粉的專(zhuān)利。九十年代初進(jìn)行試生產(chǎn)并開(kāi)始應用于大規模集成電路的塑封料;到1999年底日本已有年產(chǎn)球形石英微粉近萬(wàn)噸的生產(chǎn)能力,除本國使用外,還大量出口。以日本電氣化學(xué)株式會(huì )社、日本龍森為主的一批企業(yè)已大批量生產(chǎn)球形硅微粉并運用到航天、超大屏幕電子顯像和大規模集成電路中。

       

      ▼日本龍森球形硅微粉部分參數
      硅微粉 高溫 球形

      注:由于該技術(shù)涉及高性能計算機技術(shù)的開(kāi)發(fā),國外對球形化技術(shù)高度保密,其提供的參數指標也不完整。

        火焰法采用天然氣、乙炔氣、氫氣等工業(yè)燃料氣體為熱源,主要涉及熱力學(xué)、流體力學(xué)、顆粒流體力學(xué)等方面的理論,與等離子體方法相比,不再涉及電磁學(xué)理論及粒子在電磁場(chǎng)中的運動(dòng)問(wèn)題,使得研究和生產(chǎn)控制更趨簡(jiǎn)化。因此,火焰法生產(chǎn)球形硅微粉更易實(shí)現大規模工業(yè)化生產(chǎn),更具發(fā)展前途。
       
      (2)美國
       
        據調研,美國產(chǎn)的球形硅微粉主要是采用高溫熔融噴射球形化法生產(chǎn)的。該工藝是將高純度石英在2100-2500℃下熔融為石英液體,經(jīng)過(guò)噴霧、冷卻后得到球形硅微粉,該法制備的球形硅微粉球形度好、表面光滑、球形化率和非晶形率均可達到100%。
        高溫熔融噴射球形化法中的難點(diǎn)主要包括耐熔融石英液體的高溫材料、粘稠的石英熔融液體的霧化系統以及霧化系統對樣品的污染問(wèn)題。

       

      ▼美國斯坦福研究院粉體中心球形硅微粉指標
      硅微粉 高溫 球形

      注:此表為電子封裝材料用硅微粉的技術(shù)要求,其中,A用于大規模集成電路,B用于超大規模集成電路。

      (3)加拿大
       
        加拿大TEKNA等離子系統公司的感應等離子微粉顆粒球形化系統處于世界領(lǐng)先地位,并申請了全球專(zhuān)利,此技術(shù)主要有以下幾個(gè)方面的優(yōu)勢:
       
      第一,高頻感應等離子炬沒(méi)有電極,不用考慮對樣品的污染問(wèn)題;
       
      第二,由于這種空心圓筒構造,預處理的微粉材料或液相原料乃至氣相原料,可以從軸向引入,這點(diǎn)對于充分促進(jìn)高溫等離子體和材料之間的熱傳導是非常有利的;
       
      第三,感應熱等離子體的體積比較大,溫度梯度比直流電弧等離子體小,即均勻性好;
       
      第四,感應炬管不但可以達到5000-10000K的高溫,而且高頻感應等離子的焰流速度更低從而大大延長(cháng)微粉在高溫區停留的時(shí)間,保證了微粉在高溫區充分熔化甚至氣化,足以制得球形化率高的微粉。世界上很多的科研院所都在利用等離子法進(jìn)行球形粉末研究。
       
      2.國內硅微粉高溫球形化研究現狀
       
        由于硅微粉球形化技術(shù)涉及高性能芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā),國外對此高度保密,使得我國硅微粉球形化技術(shù)發(fā)展較為緩慢。近年來(lái),以華飛電子、聯(lián)瑞新材為代表的少數國內企業(yè)突破國外技術(shù)封鎖,逐漸掌握高純、小粒度球形硅微粉的生產(chǎn)技術(shù)。
       
      (1)火焰法
       
        目前,國內硅微粉球形化技術(shù)主要包括射頻等離子球形化法、直流電弧等離子球形化法、碳極電弧加熱球形化法以及化學(xué)合成法等。其中工業(yè)生產(chǎn)方面主要是利用火焰成球法來(lái)生產(chǎn)球形硅微粉。該技術(shù)的關(guān)鍵是加熱裝置要求有穩定的溫度場(chǎng)、易于調節溫度范圍以及不要對硅微粉造成二次污染。
       

      ▼國內某公司火焰成球法生產(chǎn)球形硅微粉工藝
      硅微粉 高溫 球形

       
      (2)等離子體法

        中國科學(xué)院過(guò)程所袁方利等開(kāi)發(fā)了射頻等離子體法制備球形硅微粉技術(shù)。首先建立穩定的氮-空氣等離子弧,然后利用N2為載氣將原料粉體經(jīng)加料槍引入等離子電弧中,粉體顆粒在弧中吸收大量的熱而迅速融化,并以極高的飛行速度進(jìn)入反應器,冷卻凝固后收集。
        在該工藝中,通過(guò)調節N2的流量來(lái)控制原料的進(jìn)料速度,石英粉體球形化后,顆粒球形度很高,表面光滑。
       

      ▼高溫法制備球形硅微粉工藝流程
      硅微粉 高溫 球形


        高頻感應等離子法采用的是軸向內送粉,大大延長(cháng)了樣品在等離子焰流中的停留時(shí)間;另外,高頻感應設備不存在電極揮發(fā)對樣品的污染問(wèn)題;還有感應設備的反應腔內溫度高達30000K,更容易實(shí)現微粉球形化。但是,高頻等離子能耗高、溫度場(chǎng)小而集中、溫度范圍難以控制,很難形成規模生產(chǎn)能力。
        盡管近年來(lái)中國球形硅微粉生產(chǎn)技術(shù)取得明顯進(jìn)步,但純度、粒度以及產(chǎn)品質(zhì)量穩定性與國外產(chǎn)品比較還存在一定的差距,每年還需從國外進(jìn)口大部分的球形硅微粉產(chǎn)品。

       

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