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一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法 |
來(lái)源:中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間:2013-11-25 09:02:16 瀏覽次數: |
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專(zhuān)利名稱(chēng):一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法
專(zhuān)利持有人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
所屬行業(yè):
內容摘要:一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法,本發(fā)明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制備方法。本發(fā)明要解決現有方法制備的多孔碳化硅陶瓷力學(xué)性能低、比表面積低的技術(shù)問(wèn)題。該多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉體、燒結助劑、去離子水、分散劑、粘結劑和消泡劑制... |
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發(fā)明人:葉楓,劉強,劉仕超,楊海霞,侯趙平
申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
申請號:CN201310229375.0
一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法,本發(fā)明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制備方法,其特征在于一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷以碳化硅粉體及燒結助劑為原料,采用冷凍澆注法成型,經(jīng)干燥后燒結制備而成,在冷凍澆注的漿料中,按照體積百分比,碳化硅粉體和燒結助劑的混合粉體為5~60%,去離子水為95~40%;碳化硅粉體和燒結助劑的混合粉體、分散劑、粘結劑和消泡劑的質(zhì)量比為1:(0.001~0.03):(0.005~0.03):(0.001~0.01);碳化硅粉體和燒結助劑的混合粉體中燒結助劑的質(zhì)量分數為1~50%。
本發(fā)明要解決現有方法制備的多孔碳化硅陶瓷力學(xué)性能低、比表面積低的技術(shù)問(wèn)題。該多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉體、燒結助劑、去離子水、分散劑、粘結劑和消泡劑制備;方法:一、制備漿料;二、制備多孔碳化硅陶瓷生坯;三、制備預氧化多孔碳化硅陶瓷坯體;四、制備鋇長(cháng)石原位結合的多孔碳化硅陶瓷;五、高溫熱處理。本發(fā)明制備的多孔陶瓷孔隙率可達20vol%-82vol%,孔徑為0.1-300μm;氣孔率為48v0l%時(shí),抗彎強度可達63MPa;孔壁中原位生成長(cháng)棒狀碳化硅晶粒。本發(fā)明用于制備具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷。
http://roanjohns.com/uploadfile/2013/1125/20131125090504328.pdf
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