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      北京大學(xué)率先研制成功10nm碳納米管CMOS器件
      來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間：2015-04-03 11:51:18    瀏覽次數：
       
              近日，在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng )新發(fā)展專(zhuān)項支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團隊在全世界范圍內首次成功研制出10納米碳納米管CMOS器件，與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5，并在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。
              課題的研究成果表明在10納米以下技術(shù)節點(diǎn)，碳納米管CMOS器件相對于硅基CMOS器件具有巨大優(yōu)勢，這將大大增強研究機構和芯片公司對碳納米管電子學(xué)的信心，為2020年之后的集成電路技術(shù)的發(fā)展和選擇奠定重要基礎。
      　　該團隊下一步將繼續優(yōu)化相關(guān)制備工藝，期望最終能夠通過(guò)技術(shù)創(chuàng )新推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領(lǐng)域的應用。

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