材料學(xué)的水平將極大程度決定了一個(gè)國家的最高科技水平。在某些新材料方面，日本已經(jīng)遠遠領(lǐng)先最發(fā)達國家美國非常大的身位，根據國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)的數據顯示，日本企業(yè)在全球半導體材料市場(chǎng)占比份額高達52%。例如，全球球形硅微粉70%以上市場(chǎng)來(lái)自日本。

　　日本新材料產(chǎn)業(yè)為什么這么強？

　　雖然日本經(jīng)濟發(fā)展停滯了20年，但其科技水平及科技實(shí)力上仍然是十分強大的，某些領(lǐng)域的實(shí)力水平仍然處于世界領(lǐng)先。2021年，日本經(jīng)濟總量為5.1萬(wàn)億美元（IMF數據），排名世界第三；日本人均GDP為4.07萬(wàn)美元（IMF），甚至是咱們1.19萬(wàn)美元的約3.42倍左右。
　　
　　日本政府曾經(jīng)發(fā)布過(guò)《日本產(chǎn)業(yè)結構展望2010》的報告以新成長(cháng)戰略為指導，將包括：高溫超導、納米、功能化學(xué)、碳纖維、IT等新材料技術(shù)在內的10大尖端技術(shù)產(chǎn)業(yè)確定為未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要戰略領(lǐng)域，就相關(guān)領(lǐng)域的現狀和問(wèn)題、發(fā)展方向進(jìn)行了分析，并提出了相應的行動(dòng)計劃。
　　
　　新材料產(chǎn)業(yè)被國際上認為是21世紀最具發(fā)展潛力并對未來(lái)發(fā)展有著(zhù)巨大影響的產(chǎn)業(yè)。日本是新材料生產(chǎn)技術(shù)最先進(jìn)的國家。日本政府十分重視新材料技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)把開(kāi)發(fā)新材料列為國家高新技術(shù)的第二大目標，因此，日本材料企業(yè)在全球新材料產(chǎn)業(yè)界形成一枝獨秀領(lǐng)先局面。
　　
　　日本內閣會(huì )議于2016年1月22日審議通過(guò)了《第五期科學(xué)技術(shù)基本計劃(2016-2020)》，日本政府未來(lái)5年將確保研發(fā)投資規模占GDP比例的4%以上。日本機械制造工業(yè)長(cháng)期保持世界先進(jìn)水平與其發(fā)達的材料產(chǎn)業(yè)密不可分。比如日本在新材料占有率方面，日本的新材料產(chǎn)業(yè)憑借其超前的研發(fā)優(yōu)勢、研發(fā)成果、實(shí)用化開(kāi)發(fā)力度，在環(huán)境、新能源材料全球市場(chǎng)占據絕對的優(yōu)勢地位。
　　
　　日本擁有全球領(lǐng)先的代表性新材料企業(yè)，比如京瓷株式會(huì )社；三井化學(xué)株式會(huì )社(Mitsui Chemicals)等等。
　　
　　日本還擁有享譽(yù)世界的代表性大學(xué)，如東京大學(xué)和名古屋大學(xué)，都是日本頂尖、世界一流的著(zhù)名研究型綜合大學(xué)。
　　
　　日本的材料學(xué)已成為最頂尖技術(shù)。材料學(xué)的水平將極大程度決定了一個(gè)國家的最高科技水平。比如最先進(jìn)的裝甲車(chē)必需優(yōu)質(zhì)材料；最先進(jìn)的導彈之外殼必須采用極優(yōu)質(zhì)材料。特別是飛機發(fā)動(dòng)機葉片更需要出色而優(yōu)異的新材料。再比如最高精尖的軍用雷達半導體元器件也需要優(yōu)中選優(yōu)的材料。
　　
　　在某些新材料方面，日本已經(jīng)遠遠領(lǐng)先最發(fā)達國家美國非常大的身位，剩下的包括俄羅斯及歐洲發(fā)達國家之類(lèi)也和日本遠遠不在一個(gè)檔次。比如在最高精尖的三種材料技術(shù)方面：制造洲際彈道導彈噴管和殼體以及飛機骨架——高強度碳纖維材料；制造最高性能主動(dòng)相控陣軍用雷達的——寬禁帶半導體收發(fā)組件材料；制造最新式渦輪發(fā)動(dòng)機渦輪葉片的——高性能單晶葉片。
　　
　　日本在這三種頂級科技方面遙遙領(lǐng)先，讓地球上其他國家望其項背。
　　
　　首當其沖的是——最新型渦輪發(fā)動(dòng)機葉片的五代單晶材料。由于渦輪葉片工作環(huán)境非常惡劣，需要極度高溫高壓之下仍然保持數萬(wàn)轉的極高轉速，因此，對于高溫高壓下的抗蠕變性能的條件及要求是十分苛刻的。當今科技最優(yōu)的解決手段就是讓晶體約束朝一個(gè)方向伸展，相比于常規材料來(lái)說(shuō)無(wú)晶界，這樣就大大提升高溫高壓下的強度和抗蠕變性能。
　　
　　世界上單晶材料共有五代。越到最后一代，就越根本看不到老牌發(fā)達國家美國和英國的影子，軍事超級大國俄羅斯更不在話(huà)下。假如四代單晶還有法國能夠勉強支撐的話(huà)，而第五代單晶技術(shù)水平就只能是日本的天下。因此，全球最頂級的單晶材料就是日本研發(fā)的第五代單晶TMS-162/192，日本已成為全球唯一一個(gè)能制造第五代單晶材料的國家，在世界市場(chǎng)上具有絕對的話(huà)語(yǔ)權。
　　
　　再拿美國F-22和F-35使用的F119/135發(fā)動(dòng)機的渦輪葉片材料CMSX-10三代高性能單晶作為對比，通過(guò)比較數據如下，三代單晶的經(jīng)典代表CMSX-10的抗蠕變性能是：1100度，137Mpa，220小時(shí)。這已是西方發(fā)達國家最頂級水平了。
　　
　　反觀(guān)日本，其第五代的TMS-162，在相同條件之下，第五代的TMS-162壽命高達959小時(shí)，甚至于接近1000小時(shí)壽命，相比于美國材料的使用壽命高達4倍有余，令人震撼。
　　
　　再比如世界傳統材料學(xué)和發(fā)動(dòng)機技術(shù)的歐洲最頂尖水平公司——英國著(zhù)名的發(fā)動(dòng)機公司羅爾斯·羅伊斯（RR），也是歐洲最大的航空發(fā)動(dòng)機企業(yè)，旗下產(chǎn)品包括航空發(fā)動(dòng)機、船舶發(fā)動(dòng)機以及核動(dòng)力潛艇的核動(dòng)力裝置，其中航空發(fā)動(dòng)機是世界久負盛名的拳頭產(chǎn)品，它研制的各種航空發(fā)動(dòng)機廣為世界民用和軍用飛機所采用。
　　
　　即使這樣一家全球技術(shù)最頂尖公司，在日本的新材料面前只能選擇膜拜及臣服。英國RR甚至于大批進(jìn)口日本的單晶材料用于制造自己的世界先進(jìn)的Trent渦輪風(fēng)扇發(fā)動(dòng)機。日本的新材料技術(shù)，讓很多國家離不開(kāi)它，離開(kāi)了就寸步難行，要么使用性能差一點(diǎn)的材料去替代，而對于追求品質(zhì)的歐洲發(fā)達國家根本不現實(shí)，寧愿去花大價(jià)錢(qián)買(mǎi)日本的新材料，這樣用的放心也省心，因為十分“恐怖”的使用壽命放在那里。
　　
　　其次是日本領(lǐng)先世界的碳纖維材料。碳纖維由于質(zhì)量輕，強度高而被軍工產(chǎn)業(yè)視為制造導彈、尤其是最頂尖洲際彈道導彈的最理想材料。比如美國的“侏儒”導彈是美國的小型固體洲際戰略導彈，能夠在公路上機動(dòng)，以提高導彈的射前生存能力，主要用來(lái)打擊導彈地下井。該導彈也是目前世界上最早采用全程制導的洲際戰略導彈，其中用到了日本的新材料及技術(shù)。
　　
　　比如美國的“三叉戟II”D-5型潛射導彈，是由洛克希德•馬丁公司研制。該彈1990年服役，主要裝備了“俄亥俄”級核潛艇，每艇載彈24枚，曾經(jīng)是世界上最先進(jìn)的潛射彈道導彈。“三叉戟II”D-5，射程更遠，命中精度更高。每枚導彈最多可載12枚分導式彈頭，后來(lái)根據美俄間的協(xié)議，改為限載8枚，可分別攻擊8個(gè)目標，采用星光慣性制導系統。它打擊諸如地下導彈發(fā)射井、加固的地下指揮所等堅固目標的能力要比“三叉戟I”導彈提高3至4倍，因而被譽(yù)為美海軍戰略核力量的“驕子”。此導彈采用了日本的新復合材料。
　　
　　再比如法國M51的新式洲際彈道導彈，M51潛射彈道導彈曾經(jīng)是法國原子能軍需事務(wù)局和法國原子能總署研制的新一代戰略核導彈。導彈上安裝電力噴嘴調節器、慣性制導與天文制導系統，展開(kāi)式減阻帽能夠降低發(fā)射后的空氣阻力;它的整流罩由復合碳基材料制造。至少到2030年，以M51導彈為主體的?；肆α繉⒊蔀榉▏肆α康闹黧w，可鞏固法國在歐洲防務(wù)獨立中的領(lǐng)導地位。法國的導彈同樣采用了日本的復合新材料。
　　
　　值得一提的是，以上先進(jìn)的戰略導彈無(wú)一例外都采用碳-碳和碳-樹(shù)脂復合材料用于制造洲際導彈的殼體和噴管。在這項技術(shù)上日本同樣是世界領(lǐng)先水平。
　　
　　碳纖維主要分為兩類(lèi)：高強度和高拉伸模量。比如日本東麗公司的T1000強度高達7060mpa，其拉伸模量在高強度碳纖維中也非常高（甚至達到了284Gpa），這些技術(shù)指標都遠遠超過(guò)了美國IM9的最高水平。
　　
　　纖維有機復合材料，在當今飛機上獲得了十分廣泛的應用。軍事大國俄羅斯對于這種材料的研究及應用時(shí)間要晚一些，基本上是在上世紀70年代才開(kāi)始開(kāi)始研發(fā)的。前蘇聯(lián)國家石墨結構材料研究所、前蘇聯(lián)聚合物纖維研究所，全俄航空材料研究院，能夠生產(chǎn)出拉伸強度2500～3000MPa、拉伸模量250GPa的高強度碳纖維，以及模量400～600GPa的高模量碳纖維。此后，又研發(fā)出4000～5000MPa的中模量碳纖維。雖然如此，俄羅斯的碳纖維產(chǎn)品在性能及水平上仍然遠不如日本的技術(shù)水平先進(jìn)。
　　
　　從高強度纖維產(chǎn)品觀(guān)察，俄羅斯的YKH、BMH比世界上通用的T300大約要低1000Mpa。俄羅斯高模量纖維400～600GPa差不多與日本M40J、M60J相近。但是在中模碳纖維方面與美國的T800H及T1000G有一定技術(shù)差距，在模量相同的條件下，美國的強度大約高出 500～1000MPa。
　　
　　綜上所述，俄國人制造出最強的水準在5000mpa之內封頂，和日本美國完全不在一個(gè)檔次上，而且這還是俄羅斯的實(shí)驗室的水平。
　　
　　在全球碳纖維生產(chǎn)制造廠(chǎng)家中，日本擁有著(zhù)名的東麗、東邦和三菱3家頂尖公司，他們代表了世界最頂級技術(shù)水平。
　　
　　我國雖經(jīng)過(guò)多年研發(fā)及試生產(chǎn)，至今尚未掌握高性能碳纖維的最核心技術(shù)，所以碳纖維要實(shí)現完全國產(chǎn)化仍然需要時(shí)間。日本技術(shù)遠超T800及T1000碳纖維早已占領(lǐng)市場(chǎng)并大量制造了。實(shí)際上，T1000還只是日本東麗在80年代的制造水平。由此可見(jiàn)，日本在碳纖維領(lǐng)域的技術(shù)至少要領(lǐng)先其他國家20年以上。
　　
　　再次是軍用雷達上使用的獨領(lǐng)風(fēng)騷的新材料。 主動(dòng)相控陣雷達的最關(guān)鍵技術(shù)體現在一個(gè)個(gè)T/R收發(fā)組件上。特別是AESA雷達都是由數千個(gè)收發(fā)組件單元組建成的一臺完整的雷達。而T/R組件往往是由最少一個(gè)，最多4個(gè)MMIC半導體晶片材料封裝而成。這個(gè)芯片是將雷達的電磁波收發(fā)組件集成起來(lái)的一個(gè)微型電路，不但負責電磁波的輸出，同時(shí)也負責接收。這個(gè)芯片就是在整個(gè)半導體晶元上蝕刻出電路來(lái)的，因此，這個(gè)半導體晶圓的晶體生長(cháng)是整個(gè)AESA雷達最關(guān)鍵的技術(shù)部分。
　　
　　比如美國F-35的諾斯羅普.格魯曼公司的APG81雷達的MMIC芯片，其中APG81雷達就是由數千個(gè)一模一樣的這樣的MMIC芯片組成。這個(gè)芯片是以GaAs為基體蝕刻構成的。
　　
　　GaAs材料由于其禁帶過(guò)窄，擊穿電壓過(guò)低，往往發(fā)射功率上不去。因此，極需要新一代寬禁帶的半導體材料，這個(gè)材料就是GaN材料。
　　
　　GaN材料的晶體生長(cháng)十分困難，當今世界只有日本率先攻克了GaN薄膜的大規模制造工藝，其他國家仍然在摸索之中。
　　
　　日本日亞化工是在1994年攻克了GaN材料成核生長(cháng)關(guān)鍵技術(shù)，此后，P型GaN又采用退火技術(shù)加以實(shí)現，最終GaNled研制成功。通過(guò)外延技術(shù)的提升，GaNLED的內量子效率大大提升，結合粗化、倒裝、PSS襯底等提高光輸出效率的技術(shù)，GaN基LED已廣泛應用在汽車(chē)燈具、全彩顯示、交通信號燈、、液晶背光、室內照明和路燈照明等領(lǐng)域，半導體照明已家喻戶(hù)曉。事實(shí)上，絕大多數GaN基LED都是采用價(jià)格相對低廉的藍寶石為襯底材料制備。但是，藍寶石襯底與GaN材料有高達17%的晶格失配度，如此大的晶格失配往往造成很高的位錯密度，導致GaNLED中的非輻射復合中心增多，限制了其內量子效率的進(jìn)一步提升。
　　
　　SiC襯底與GaN材料的晶格適配度只有3%，遠小于藍寶石襯底與GaN材料間的晶格適配度，所以在SiC襯底上外延生長(cháng)的GaN材料的位錯密度會(huì )更少，晶體質(zhì)量會(huì )更高，同時(shí)SiC的熱導率（4.2W/cm.K）遠大于藍寶石，有利于器件在大電流下工作。
　　
　　但是SiC襯底的制備難度較高，外延生長(cháng)GaN的成核也具有一定難度。因此，SiC襯底上制備GaNLED的技術(shù)僅限于以美國CREE為代表的少數掌握SiC襯底囗制備技術(shù)的公司手中。值得一提的是，美國Cree公司生產(chǎn)的GaNLED封裝成白光后，流明效率已經(jīng)超過(guò)200lm/W，遠超世界上其他同行廠(chǎng)家。
　　
　　世界LED產(chǎn)業(yè)上游大公司美國Cree曾經(jīng)表示，公司已與日本三菱化學(xué)簽訂獨家授權合約。根據雙方協(xié)議，日本三菱化學(xué)將可制造、販賣(mài)獨立的氮化鎵（GaN）基板，并有權簽訂類(lèi)似專(zhuān)利范圍的再授權協(xié)議。
　　
　　日本三菱化學(xué)光電事業(yè)部門(mén)總經(jīng)理Yasuji Kobashi在聲明中指出，上述授權合約可望幫助該公司在光電產(chǎn)品領(lǐng)域中拓展氮化鎵基板業(yè)務(wù)。
　　
　　實(shí)際上，美國的F-22的雷達采用日本技術(shù)已非秘密。早在90年代初，日本率先攻克了GaAs晶圓的生長(cháng)工藝后，自然會(huì )造成逼著(zhù)美國購買(mǎi)日亞化工的GaAs晶圓技術(shù)用來(lái)制造F-22的 APG77雷達。也正是日本日亞化工對美國的半導體材料進(jìn)行的技術(shù)許可和轉讓?zhuān)抛屆绹?0年代后半期技術(shù)大幅提升，從而利用軍用雷達的AESA革新遙遙領(lǐng)先世界其他國家。
　　
　　此外，日本在氧化鎵產(chǎn)業(yè)化方面也走在世界的前列，擁有Novel Crystal Technology等著(zhù)名公司，已經(jīng)成功實(shí)現了氧化鎵功率半導體的6英吋成膜。
　　
　　新材料是高新技術(shù)的重要組成部分，又是高新技術(shù)發(fā)展的基礎和先導，也是提升傳統產(chǎn)業(yè)技術(shù)能級，調整產(chǎn)業(yè)結構的關(guān)鍵因素。新材料產(chǎn)業(yè)被認為是21世紀最具發(fā)展潛力并對未來(lái)發(fā)展有著(zhù)巨大影響的產(chǎn)業(yè)。
　　
　　日本傳統的機械制造工業(yè)之所以能夠長(cháng)期保持全球領(lǐng)先水平，與日本發(fā)達的材料產(chǎn)業(yè)密不可分。由于中國等新興國家的材料產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，日本很早就未雨綢，在高端材料的實(shí)用化開(kāi)發(fā)再次加快步伐。
　　
　　比如日本機械工業(yè)聯(lián)合會(huì )早在2007、2008年發(fā)表的“新材料現狀與工業(yè)化調查”，并且對先進(jìn)材料技術(shù)的種類(lèi)、特性、應用可能性及工業(yè)化前景等進(jìn)行評估，日本評估的新材料領(lǐng)域包括: 耐高壓、耐腐蝕性、高敏感、超薄、超輕，具備很多金屬特性的金屬玻璃，廣泛用于電子產(chǎn)品的鎂合金，用于水力發(fā)電機組軸承的樹(shù)脂系復合材料，碳纖維復合材料，用于建筑、橋梁、船舶、汽車(chē)的超級鋼鐵材料，新光源材料有機EL、富勒烯、固體燃料電池材料、高溫超導材料、超耐熱合金、生物能源材料、硅材料、雙層電容器用碳素納米細孔電極材料等。
　　
　　日本新材料政策目標是占有全球市場(chǎng)，因此，日本選擇的重點(diǎn)是市場(chǎng)潛力巨大和高附加值的新材料領(lǐng)域，并且日本在盡量短的時(shí)間內加快專(zhuān)業(yè)化、工業(yè)化進(jìn)程。日本在全球新材料目標明確且已保持領(lǐng)先優(yōu)勢的領(lǐng)域有: 精細陶瓷、碳纖維、工程塑料、非晶合金、超級鋼鐵材料、有機EL材料、鎂合金材料。
　　
　　日本新材料產(chǎn)業(yè)，憑借其超前的研發(fā)優(yōu)勢、研發(fā)成果、實(shí)用化開(kāi)發(fā)力度，在環(huán)境、新能源材料全球市場(chǎng)占有絕對的優(yōu)勢地位。值得一提的是，全球多數工業(yè)化國家已針對節能減排，應對氣候變化問(wèn)題達成基本共識，并積極推動(dòng)建立減少污染、資源可回收利用的循環(huán)型經(jīng)濟模式，制定經(jīng)濟的可持續發(fā)展政策措施，無(wú)疑為新材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng )造了巨大市場(chǎng)潛力空間。
　　
　　日本新材料的領(lǐng)先優(yōu)勢具體如下: 鋰電池隔板占比達50%，飛機及汽車(chē)用碳纖維占比達70%，海水淡化逆滲透薄膜占比50%，高端多層陶瓷電容器用納米級鈦酸鋇占比80%，300mm太陽(yáng)能電池半導體電路板占比達70%，有機EL材料占比達90%，聚乙烯醇膠卷占比達80%，用于燃料電池的氧化鋯占比達60%，用于汽車(chē)、電子的合成鎂氧占比達70%?？梢?jiàn)，日本在新材料產(chǎn)業(yè)方面是一個(gè)令人震撼的對手。
　　
　　日本的產(chǎn)官學(xué)合作體制發(fā)揮極為重要發(fā)動(dòng)機作用，并且日本政府處于主導地位。1995年，日本就制定了《科學(xué)技術(shù)基本法》，第二年開(kāi)始實(shí)施為期5年的科學(xué)技術(shù)基本計劃。日本為了推動(dòng)循環(huán)經(jīng)濟，建立循環(huán)型社會(huì )，日本還制定了一系列相關(guān)法規，比如《環(huán)境基本法》、《循環(huán)型社會(huì )形成推進(jìn)基本法》、《資源有效利用促進(jìn)法》、《綠色購入法》等，為新材料的研發(fā)、實(shí)用化起到了十分積極的推動(dòng)作用。日本的產(chǎn)官學(xué)合作體制，實(shí)際上就是產(chǎn)業(yè)界、政府和學(xué)術(shù)界合作的科技發(fā)展體制在促進(jìn)科研成果產(chǎn)業(yè)化方面發(fā)揮了重要作用。
　　
　　日本十分重視新材料的基礎研究，日本為了給未來(lái)的科學(xué)技術(shù)進(jìn)步打下基礎，以保證在今后的尖端技術(shù)中發(fā)揮其主導作用，日本認識到基礎研究的重要性，特別是新材料方面的研究。
　　
　　日本建立大批新材料研究所，著(zhù)重對電子、新材料、生物工程等方面開(kāi)展研究活動(dòng)。其中，特別是對新材料的研究，日本給予相當的重視。
　　
　　日本十分重視新材料方面的人才資源，日本認識到培養材料科學(xué)家和材料工程師的重要性，認為現有的大學(xué)中許多課程遠遠滿(mǎn)足不了當前培養高級科技人才的需要，不斷加以完善調整。
　　
　　因此，日本為了發(fā)展新材料所需的資源業(yè)采取以下重點(diǎn)政策:
　　
　　1）政府出資儲備；2）政府對民營(yíng)企業(yè)的庫存給予資助；3）與國外資源國建立鞏固關(guān)系;4）采取各種渠道輸人資源的政策;5）加強礦渣的綜合利用和回收有用金屬，6）開(kāi)發(fā)錳團礦等海洋資源。
　　
　　日本在研究經(jīng)費方面給予大力支持。1985年，日本政府在新材料方面的研究經(jīng)費預算金額共計為7,810百萬(wàn)日元，占科學(xué)技術(shù)振興費的2.04%。日本政府在新材料方面的研究開(kāi)發(fā)費相當于大型工業(yè)技術(shù)研究開(kāi)發(fā)費(7,698百萬(wàn)日元)和海洋開(kāi)發(fā)經(jīng)費(7,984百萬(wàn)日元)。比太陽(yáng)能、地熱能、氫能等新能源的開(kāi)發(fā)研究費3,022百萬(wàn)日元高50%以上、比電子計算機產(chǎn)業(yè)的研究開(kāi)發(fā)費4,779百萬(wàn)日元高38.7%。為促進(jìn)新材料的發(fā)展，日本甚至采取歐美各國所采取的在稅制上支持的政策。對研究經(jīng)費的增加額減稅20%，減稅限額最多只能相當于所得稅的10%，對新材料試驗研究費的稅收，若有理由延期繳納，可延至任何時(shí)候償還。對新材料的開(kāi)發(fā)投資減稅10%。
　　
　　日本的新材料研究體制采取了新方式。日本企業(yè)對新材料的開(kāi)發(fā)采取產(chǎn)學(xué)結合或企業(yè)間合作的體制。產(chǎn)學(xué)結合就是企業(yè)與學(xué)校結合，1984年大學(xué)和住友電公司就開(kāi)發(fā)新材料方面進(jìn)行合作研究，成功地開(kāi)發(fā)出瞬時(shí)合成燒結精細陶瓷的方法。
　　
　　在競爭劇烈的時(shí)代，日本很多企業(yè)認識到，為了縮短開(kāi)發(fā)周期，為了企業(yè)的生存，應共同進(jìn)行研究，共同生產(chǎn)。
　　
　　近年來(lái)日本新材料不斷出現重大科學(xué)進(jìn)展，比如：
　　
　　1、日本北陸先端科技大學(xué)院與筑波大學(xué)的研究人員利用轉基因大腸菌制造出具有堅硬構造的桂皮類(lèi)物質(zhì)，并使用光化學(xué)手段對其進(jìn)行加工，成功制造出世界上最耐熱的生物塑料。該物質(zhì)有望在未來(lái)成為汽車(chē)和電器零部件中金屬和玻璃的替代品。
　　
　　2、日本東京大學(xué)的研究人員成功開(kāi)發(fā)出一種即使放入水中也不會(huì )膨脹的高強度醫用凝膠，這種物質(zhì)未來(lái)可用于制造人工軟骨等醫療器材，并在干細胞治療中發(fā)揮重要作用。
　　
　　3、日本立命館大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種低費用的深紫外發(fā)光體，該發(fā)光體使用LED光源，未來(lái)作為殺菌處理的新型光源代替目前使用的水銀燈。
　　
　　4、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的研究人員用沙子的主要成分硅石與酒精進(jìn)行反應，成功制出了硅化學(xué)產(chǎn)業(yè)的主要原料四乙氧基硅烷。這種新技術(shù)不但效率高，而且由于是直接合成，也相對簡(jiǎn)便，對未來(lái)的硅化學(xué)產(chǎn)業(yè)可能產(chǎn)生重大影響。
　　
　　5、日本九州大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新工藝，通過(guò)減少作為觸媒的白金粒子直徑和其在固體表面上的固化密度，大大減少燃料電池中白金的使用量，達到目前的十分之一。這項成果的出現意味著(zhù)未來(lái)燃料電池的費用可能會(huì )大大削減。
　　
　　6、日本物質(zhì)材料研究機構的研究人員成功合成一種新的磁石化合物NdFe12Nx，這種新型磁石與目前在混合動(dòng)力汽車(chē)驅動(dòng)馬達中使用的釹磁石相比，使用的稀土量更少，而且具備更優(yōu)良的磁力特性。
　　
　　再說(shuō)一下日本壟斷全球半導體材料的過(guò)程。
　　
　　日本是全球半導體材料的制造大國。
　　
　　在1970-1980時(shí)期，日本半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了興盛期，半導體存儲尤其是DRAM(即電腦內存)成為了日本第一產(chǎn)業(yè)，日本甚至把曾經(jīng)的霸主美國被拉下馬。在1986年，日本半導體芯片占世界份額高達40%，特別是在DRAM領(lǐng)域最高占據了80%市場(chǎng)份額。當時(shí)，英特爾主營(yíng)正在從DRAM轉移到CPU，CPU尚未成為引領(lǐng)行業(yè)的產(chǎn)品，所以，世界半導體芯片生產(chǎn)的重心逐漸傾向日本。日本半導體材料和設備伴隨日本半導體芯片的崛起成為全球一支極為強勢力量。
　　
　　索尼公司創(chuàng )始人盛田昭夫和井深大花在1955年花費2500美元，從AT&T下屬的貝爾實(shí)驗室購買(mǎi)到晶體三極管的專(zhuān)利許可，開(kāi)始制造半導體收音機，從而日本的半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始起步。
　　
　　相對于CPU，DRAM的結構比較簡(jiǎn)單，且門(mén)檻低，日本幾乎稍有點(diǎn)實(shí)力的公司都爭相擠入。在日本半導體產(chǎn)業(yè)最高峰時(shí)期，不但有NEC老牌半導體廠(chǎng)商，也有家電出身體的松下和鋼鐵巨頭新日鐵。
　　
　　尤其是新日鐵，主業(yè)和半導體沒(méi)有半毛錢(qián)關(guān)系，但也要來(lái)分一杯羹，不僅搶DRAM蛋糕，甚至連半導體材料也不放過(guò)，但2003以失敗退出后，2009年再次進(jìn)入碳化硅晶圓領(lǐng)域，期望在功率半導體底板材料領(lǐng)域大有作為，誓要成為僅次于美國可瑞(Cree)公司的企業(yè)。當時(shí)可瑞(Cree)公司是碳化硅晶圓市場(chǎng)的全球龍頭，新日鐵有意在做行業(yè)老二。
　　
　　日本半導體芯片在奠定世界領(lǐng)先地位后，日本相關(guān)半導體材料及設備也迅速崛起。另外還有日本傳統制造業(yè)，比如電子計算器、家電、照相機、汽車(chē)、手機(包括功能機)、顯示器等產(chǎn)業(yè)相繼崛起，幾乎每個(gè)產(chǎn)業(yè)都把美國強摁下去。在核心半導體芯片的引領(lǐng)下，全日本的制造業(yè)實(shí)現全面騰飛。
　　
　　但上世紀80年代中期爆發(fā)了日美貿易摩擦，疊加韓國和臺灣?。ㄖ袊┑膮⑴c，日本半導體芯片立即由盛轉衰。因此，在今天的半導體產(chǎn)業(yè)版圖上，僅剩美國、韓國、中國臺灣省中國大陸。
　　
　　半導體材料品類(lèi)十分繁多，但日本人手中的王炸品種是高純度氟化氫、光刻膠和氟化聚酰胺。而其它半導體材料，日本與美國、歐洲和韓國共同瓜分世界市場(chǎng)。
　　
　　日本的工匠精神來(lái)自于傳統文化及傳統制造業(yè)，講求個(gè)人經(jīng)驗的積累，尤其在精密復雜的工序基礎上改進(jìn)其生產(chǎn)品質(zhì)，這成為日本在許多領(lǐng)域保持領(lǐng)先的重要原因。
　　
　　日本斷供韓國的高純度氟化氫、光刻膠和氟化聚酰胺事件，韓國的這些產(chǎn)業(yè)很難從材料逆向分析出制造技術(shù)，也很難提高競爭的門(mén)檻，特別是這些材料的制造不僅需要精細的工藝、嚴密的操作步驟，更需要大量的時(shí)間成本去沉淀出技術(shù)經(jīng)驗，這就是日本人的特有優(yōu)勢。
　　
　　由于制造高性能半導體的高純度氟化氫，需將雜質(zhì)濃度控制在低于萬(wàn)億分之一，特別是其中的雜質(zhì)砷僅靠溫度分離很難清除干凈，需要采用特殊方法，日本人不但靠時(shí)間及耐心去琢磨其中的奧秘，而且依靠工匠精神完成了降低雜質(zhì)濃度的過(guò)程。
　　
　　讓日本人更“自戀”的是，半導體芯片存在摩爾定律，幾乎是兩年更換一代，這個(gè)更新節奏快到甚至于日本人也接受不了，但是半導體材料，自從晶體三極管發(fā)明以來(lái)，就從未改變過(guò)，不用擔心顛覆式創(chuàng )新，由此，日本人依靠慢工出細活地不斷地改進(jìn)制造工藝。
　　
　　半導體行業(yè)進(jìn)入美中日三國演義時(shí)代，比如集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，芯片設計基本上由高通、博通、蘋(píng)果、英偉達等美國企業(yè)獨霸;芯片制造剔除純代工廠(chǎng)，完全由海思、夏普、AMD等中日美占據;中國臺灣企業(yè)在半導體封裝測試方面保持全球優(yōu)勢;在工業(yè)半導體領(lǐng)域，特別是材料半導體和半導體設備兩個(gè)領(lǐng)域，日本公司占據全球領(lǐng)絕對優(yōu)勢。
　　
　　根據國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)的數據顯示，日本企業(yè)在全球半導體材料市場(chǎng)占比份額高達52%，而北美和歐洲僅僅各占才15%左右; 特別是日本企業(yè)在全球新購半導體制造設備市場(chǎng)占有率超過(guò)了30%，一直穩居在產(chǎn)業(yè)鏈上游。
　　
　　綜上所述，日本在半導體材料行業(yè)發(fā)展能夠代表其整個(gè)國家的發(fā)展思路，其中值得借鑒的幾個(gè)方面：
　　
　　首先，日本始終采取產(chǎn)官學(xué)一體化進(jìn)行國家級基礎攻關(guān)研究。
　　
　　其次，切準具有高附加值的核心產(chǎn)品，從而避免產(chǎn)品分散。
　　
　　再次，積極進(jìn)行海外研發(fā)與合作研發(fā)。
　　
　　第四，經(jīng)營(yíng)模式的及時(shí)轉型。
　　
　　來(lái)源：中制智庫