“十三五”開(kāi)年之際，科技部的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃的多個(gè)重點(diǎn)專(zhuān)項如期而至。在納米專(zhuān)項當中，石墨烯等納米碳材料，碳基納米電子器件，納米能量存儲材料，新型二維原子晶體材料等成為2016年優(yōu)先支持方向。2月初，科技部官網(wǎng)發(fā)布《科技部關(guān)于發(fā)布國家重點(diǎn)研發(fā)計劃納米科技等重點(diǎn)專(zhuān)項2016年度項目申報指南的通知》。根據“自上而下”和“自下而上”相結合的原則，科技部會(huì )同相關(guān)部門(mén)，遵循國家重點(diǎn)研發(fā)計劃新的項目形成機制，面向2016年凝練形成了若干重點(diǎn)專(zhuān)項并研究編制了各重點(diǎn)專(zhuān)項實(shí)施方案，已經(jīng)國家科技計劃（專(zhuān)項、基金等）管理戰略咨詢(xún)與綜合評審特邀委員會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“特邀咨評委”）和部際聯(lián)席會(huì )議審議通過(guò)，并按程序報國務(wù)院批復同意。
1. 新型納米制備與加工技術(shù)
1.1新型碳納米材料的制備與光電功能研究
研究?jì)热?/strong>：手性碳納米管、石墨烯納米帶、高質(zhì)量石墨烯（碳單層或少層）和石墨炔等納米碳材料的宏量可控制備與可控摻雜，碳基納米結構中的物理新效應與光電功能的高效調控。
考核指標：實(shí)現面積大于2平方厘米和密度大于100根/微米的單壁碳納米管平行陣列的可控制備方法；實(shí)現高品質(zhì)單層石墨烯的連續可控制備方法；建立面積大于平方分米高取向石墨炔薄膜（厚度小于10納米）的制備技術(shù)；建立碳納米材料在光電子和光電轉換器件中的應用關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現在顯示驅動(dòng)和柔性電子器件中的應用示范。
2. 納米表征與標準
2.3納米技術(shù)標準與標準樣品
研究?jì)热?/strong>：面向重要納米產(chǎn)業(yè)應用，開(kāi)展納米性能檢測標準研究，納米標準物質(zhì)與標準樣品研制，包括納米技術(shù)術(shù)語(yǔ)和定義、測量和表征、健康安全和環(huán)境、材料規格等。
考核指標：制定納米結構基本性質(zhì)的系列納米技術(shù)標準，建立納米制造技術(shù)和重大應用中納米性能檢測的系列標準化方法及評價(jià)規范，完成系列國家一級、二級納米標準物質(zhì)/標準樣品，主持制定納米技術(shù)國家標準20—40項，主導制定國際納米技術(shù)標準（ISO，IEC）10—20項。
3.納米信息材料與器件
3.2 碳基納米電子器件與集成
研究?jì)热?/strong>：高性能碳基納米晶體管的制備及大規模集成，碳基和半導體集成電路的混合集成。亞10納米碳基CMOS器件制備技術(shù)；芯片用碳管材料的可控和批量制備；新型器件在柔性襯底上的基本科學(xué)與技術(shù)問(wèn)題。
考核指標：實(shí)現集成電路用高純半導體碳納米管材料的批量制備，建立碳基納米電路與硅基CMOS集成電路的混合集成工藝；碳納米管平行陣列中半導體純度大于99%，碳基納米CMOS場(chǎng)效應晶體管柵長(cháng)小于10納米，本征門(mén)延時(shí)小于0.1 ps，碳基納米集成電路規模大于1000門(mén)級，實(shí)現4位碳基CPU的功能演示；實(shí)現柔性碳納米器件在可穿戴裝備上的應用。
4新型二維原子晶體材料和器件原理
研究?jì)热?/strong>：超薄溝道、高載流子遷移率、帶隙可調控的高性能二維原子晶體材料的精準構筑和制備，研究帶隙、摻雜等關(guān)鍵物性調控以及自旋、能谷等信息單元操控中的科學(xué)問(wèn)題，構建新穎器件原型。
考核指標：發(fā)現和合成新的高性能二維原子晶體材料并完成結構和性能表征；制備出宏觀(guān)尺度、結構完整和性能優(yōu)異的二維原子晶體薄膜；演示針對下一代高速、低功耗信息處理和高靈敏探測要求的二維原子晶體邏輯器件、高頻射頻器件、光電子發(fā)射和探測器件等，建立相關(guān)器件原理和物理模型，發(fā)展功能協(xié)同與集成技術(shù)，占領(lǐng)二維原子晶體材料和器件研究的國際制高點(diǎn)。
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