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| 中科院新疆理化所合成有機-無(wú)機雜化鈣鈦礦單晶材料 |
| 來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2015-07-02 10:06:47 瀏覽次數： |
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單晶樣品在光照和暗態(tài)下的表面電勢數據曲線(xiàn)圖
中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所研究員徐金寶帶領(lǐng)其研究團隊，發(fā)現了一種簡(jiǎn)便的制備CH3NH3PbBr3大尺寸單晶的方法。該方法采用單一溶劑前驅體，方法簡(jiǎn)便、成本低，所有工序均可在室溫下完成，并且運用該方法生長(cháng)出了14×14mm 大尺寸晶體，該晶體為立方相結構，P-43m(215)空間群；該單晶在暗態(tài)下自發(fā)極化行為較弱，置于光照環(huán)境下，晶體顯示出明顯的表面自發(fā)極化現象，體現出光誘導極化的特征；在光照與暗態(tài)下，表面電勢之差高達200mV，有利于制備高開(kāi)路電壓的光電轉換器件。該單晶表面電流分布均勻，光電流約為暗態(tài)電流的20倍，且在整體表面無(wú)衰減現象，這一結果表明單晶雜化鈣鈦礦器件與目前的納米晶薄膜器件相比，有望大幅提高其光生電流密度。
該研究成果發(fā)表在Journal of Physical Chemistry Letters上，相關(guān)研究工作得到“千人計劃”-新疆專(zhuān)項、國家自然科學(xué)基金、中科院西部之光等項目資助。
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