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| 摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長(cháng)方法 |
| 來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2014-01-15 21:46:48 瀏覽次數： |
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專(zhuān)利名稱(chēng)：摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長(cháng)方法
專(zhuān)利持有人：長(cháng)春理工大學(xué)
所屬行業(yè)：
內容摘要：摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長(cháng)方法屬于光電子材料技術(shù)領(lǐng)域?，F有摻鉺釔鋁石榴石晶體Er3+、Y3+離子半徑匹配不好，會(huì )使晶體容易開(kāi)裂，鉺摻入量受限，激光晶體熒光強度峰值不高；其生長(cháng)周期較長(cháng)，在晶體中存在更多的色心缺陷，生長(cháng)溫度較高，銥金坩堝本身有揮發(fā)... |
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發(fā)明人：曾繁明,李春,林海,劉景和,谷亮,鄭東陽(yáng),苗東偉,李秦霖,楊曉東,梁璇,方旭光
申請人：長(cháng)春理工大學(xué)
申請號：CN201310081614.2
摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長(cháng)方法屬于光電子材料技術(shù)領(lǐng)域?，F有摻鉺釔鋁石榴石晶體Er3+、Y3+離子半徑匹配不好，會(huì )使晶體容易開(kāi)裂，鉺摻入量受限，激光晶體熒光強度峰值不高；其生長(cháng)周期較長(cháng)，在晶體中存在更多的色心缺陷，生長(cháng)溫度較高，銥金坩堝本身有揮發(fā)，降低晶體質(zhì)量。本發(fā)明之摻鉺鐿鎵石榴石晶體的晶體基質(zhì)屬于立方晶系，鉺為激活元素，晶體基質(zhì)為鐿鎵石榴石，晶體分子式為Er:Yb3Ga5O12；其生長(cháng)方法包括生長(cháng)料制備、晶體生長(cháng)和退火三個(gè)步驟，制備生長(cháng)料的原料有Er2O3；采用提拉法生長(cháng)晶體；其特征在于，制備生長(cháng)料的原料還有Yb2O3、Ga2O3；晶體生長(cháng)的工藝參數確定為：提拉速度0.5～0.8mm/h，旋轉速度12～20rpm，生長(cháng)溫度1740～1760℃，所生長(cháng)的晶體為摻鉺鐿鎵石榴石晶體。
http://roanjohns.com/uploadfile/2014/0115/20140115094752269.pdf
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