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      納米銀附著(zhù)氧化鋅光電探測器的研究突破性進(jìn)展
      來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間：2014-12-09 10:13:32    瀏覽次數：
       
      納米銀附著(zhù)氧化鋅光電探測器的研究突破性進(jìn)展
            （中國粉體技術(shù)網(wǎng)/班建偉）增強對入射光的吸收是提高光電探測器性能的重要途徑。傳統的薄膜型半導體探測器存在較強的表面反射，降低了對入射光的吸收，進(jìn)而影響了光電探測器的靈敏度。一維納米材料由于大的比表面積和良好的載流子傳輸通道，具有遠大于體材料的光電導增益，是構建納米光電探測器的基本單元。如何提高一維納米材料光電探測器對入射光的吸收效率，對納米材料光電探測器的研究具有重要意義。
             武漢光電國家實(shí)驗室高義華教授領(lǐng)導的研究小組，研究了      金屬Ag納米顆粒附著(zhù)ZnO納米線(xiàn)陣列的光吸收特性，實(shí)現了一種具有光吸收增強效應的Ag納米顆粒-ZnO納米線(xiàn)陣列紫外光電探測器。首先通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在GaN襯底上得到具有良好垂直度的ZnO納米線(xiàn)陣列，再用蒸鍍法在ZnO納米線(xiàn)陣列表面沉積Ag納米顆粒進(jìn)行表面修飾，最后實(shí)現器件組裝和測試。研究表明，得益于金屬納米顆粒的局域等離子效應，經(jīng)過(guò)Ag納米顆粒修飾后的ZnO納米線(xiàn)陣列表現出明顯的光吸收增強特性，對365nm紫外光的光電響應也顯著(zhù)增強（開(kāi)關(guān)比從13.2上升到89.7）。這種光吸收增強金屬/半導體納米線(xiàn)陣列的光電探測器的研究，對設計開(kāi)發(fā)新型高性能的納米半導體材料光電探測器提供了新思路。

      來(lái)源：中國科學(xué)院
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