|
| |
| 蘇州納米所開(kāi)發(fā)出超薄高質(zhì)量石墨烯粉體 |
| 來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2014-07-18 09:29:41 瀏覽次數： |
|
| |
高質(zhì)量薄層石墨烯粉體壓膜的高電導率
高質(zhì)量薄層石墨烯產(chǎn)品微觀(guān)形貌圖
中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所石墨烯制備團隊一直致力于開(kāi)發(fā)高質(zhì)量薄層石墨烯規?；苽浼夹g(shù)，在高質(zhì)量薄層石墨烯制備方面積累了深厚的技術(shù)，取得了高質(zhì)量石墨烯的層間催化解離制備、電化學(xué)插層解理制備、高密度三維石墨烯及層數可控石墨烯制備等技術(shù)突破 目前已申請相關(guān)專(zhuān)利20余件，取得授權5件。
為推動(dòng)上述技術(shù)轉移轉化和產(chǎn)業(yè)化，蘇州納米所瞄準市場(chǎng)需求，將該技術(shù)轉移給了蘇州格瑞豐納米科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“格瑞豐公司”），該公司以上述技術(shù)為基礎，不斷提高石墨烯產(chǎn)品質(zhì)量，降低層數，優(yōu)化性能，降低成本，積極推動(dòng)高質(zhì)量薄層石墨烯產(chǎn)品在導電、導熱等方面的產(chǎn)業(yè)化應用。
經(jīng)過(guò)潛心技術(shù)攻關(guān)，格瑞豐公司近期正式推出典型厚度分別為1 nm和2-3 nm的高質(zhì)量薄層石墨烯（Few layer graphene）粉體產(chǎn)品。典型厚度為1 nm產(chǎn)品具有~3個(gè)原子層的超薄厚度、近乎完美的晶化質(zhì)量，產(chǎn)品純度、層厚、尺寸、電導率、熱導率等綜合性能指標均達到國際同期產(chǎn)品領(lǐng)先水平。目前，產(chǎn)品規模初步放大，已經(jīng)能滿(mǎn)足科技研發(fā)和工業(yè)應用的需求。
根據厚度劃分石墨烯相關(guān)材料，單原子層為石墨烯（Graphene），雙原子層被稱(chēng)為雙層石墨烯（Bilayer graphene），三原子層被稱(chēng)為三層石墨烯（Trilayer graphene），大約10個(gè)原子層以下的被稱(chēng)為薄層石墨烯（Few layer graphene）。其他還有厚層石墨烯（Multi-layer graphene，< 10 nm厚度）、石墨烯微片（Graphene nanoplatelets，或Graphene nanosheets，< 100 nm）。 直觀(guān)上若干原子層石墨烯表現為高度褶皺的薄紗狀形貌結構，而厚的石墨烯微片通常呈現硬片狀形貌（圖2為格瑞豐團隊推出的幾個(gè)原子層高質(zhì)量薄層石墨烯產(chǎn)品的掃描電子顯微鏡（SEM）圖片）。更精確的典型厚度是由高分辨透射電鏡和原子力顯微鏡統計觀(guān)察得出。
傳統的氧化還原制備工藝，已經(jīng)能夠實(shí)現量產(chǎn)，可以實(shí)現薄層甚至單原子層的還原氧化石墨烯（rGO），并且具有水性分散的優(yōu)勢，然而，傳統的氧化還原制備工藝卻無(wú)法實(shí)現對石墨烯本征特征的無(wú)損制備，從而最大限度保留石墨烯最理想的導電導熱性能。格瑞豐公司生產(chǎn)的高質(zhì)量薄層石墨烯粉體是利用插層解理方法，不同于傳統的氧化工藝，其插層和解理過(guò)程不破壞石墨層原始的sp2晶體結構，保留石墨片層優(yōu)異的導電、導熱性能。高質(zhì)量石墨烯Raman譜圖給出反應無(wú)序結構的D峰，其微弱程度與原料可相媲美。由高質(zhì)量薄層石墨烯粉體壓制而成的薄膜，其電導率高達105 S/m，說(shuō)明其單層的層內電導率遠高于此，為目前國際最理想水平。
基于蘇州納米所技術(shù)開(kāi)發(fā)的高質(zhì)量薄層石墨烯(Few-layer graphene) 粉體是該公司具有技術(shù)優(yōu)勢的產(chǎn)品。試劑級的高質(zhì)量薄層石墨烯厚度從單原子到若干原子層，產(chǎn)品典型厚度可分為~ 1 nm 和~2-3 nm, 具有完美的晶化程度，幾乎不含任何官能基團、拓撲缺陷和金屬離子雜質(zhì)。其應用將涵蓋導電、抗靜電、導熱、電熱、散熱、功能漿料、復合體系和油墨等領(lǐng)域。同時(shí)，工業(yè)級高質(zhì)量薄層石墨烯（典型厚度大約3-5 nm）粉體制備的高導電、高導熱漿料產(chǎn)品可在工業(yè)界大規模應用。
?歡迎進(jìn)入【粉體論壇】
|
|
|
| |
|
| |
|
|
|
|
|
|
