?。ㄖ袊垠w技術(shù)網(wǎng)/栗潔瓊）世界上幾乎所有的半導體技術(shù)研究機構都在嘗試制造單層石墨烯(graphene)，并將其視為優(yōu)于硅的新一代IC材料；不過(guò)現在IBM的研究人員卻發(fā)現石墨烯材料的另一種優(yōu)勢能大幅降低采用氮化鎵(GaN)制造的藍光LED成本。
“我們在利用碳化硅晶圓片所形成的晶圓尺寸石墨烯上，長(cháng)出了單晶GaN薄膜；”自稱(chēng)“發(fā)明大師”的IBM T.J. Watson研究中心成員Jeehwan Kim表示：“然后整片GaN薄膜被轉移到硅基板上，石墨烯則仍留在SiC晶圓片上重復使用，再繼續長(cháng)出GaN薄膜、轉移薄膜的程序。”
IBM投資30億美元于石墨烯能 可降低藍光LED成本
他指出，比起采用昂貴的SiC或藍寶石晶圓片、且只能單次使用以長(cháng)出GaN薄膜的傳統方式，這種新方法的成本效益要高出許多，而且他們發(fā)現以新方法在石墨烯上長(cháng)出的薄膜質(zhì)量，高于采用其他基板長(cháng)出的薄膜(缺陷密度較低)。
要長(cháng)出晶圓尺寸的單層石墨烯薄膜非常具挑戰性，為了利用石墨烯制造IC半導體組件，專(zhuān)家們在過(guò)去嘗試了許多不同的方法，可惜只有部分取得成功；目前發(fā)現采用SiC晶圓片、然后將硅汽化，是最可靠的方法之一。
而IBM的Kim證實(shí)，將SiC晶圓片的硅汽化之后，所留下的石墨烯薄膜能穩妥地轉移至硅基板上；此外他們也證實(shí)，這種方式產(chǎn)出的石墨烯質(zhì)量，優(yōu)于直接在要運用石墨烯的晶圓片上所生長(cháng)的石墨烯品質(zhì)。
至于在石墨烯上長(cháng)出其他薄膜，又為該種材料開(kāi)辟了一種新應用途徑；Kim將他開(kāi)發(fā)的技術(shù)稱(chēng)為“在磊晶石墨烯上生長(cháng)高質(zhì)量單晶GaN薄膜的直接凡德瓦磊晶法 (direct van der Waals epitaxy)”。他聲稱(chēng)，以這種方式生長(cháng)的GaN薄膜或是其他薄膜，可隨意移植到任何一種基板上，支持例如等組件的制造。
由于Kim的實(shí)驗室以上述方法制作的用GaN薄膜，是成功重復利用SiC晶圓片上的石墨烯長(cháng)成，他們認為這是可利用石墨烯大幅降低半導體組件制造 成本的全新方式：“我們首度證實(shí)能在石墨烯上生長(cháng)晶圓尺寸的單晶薄膜，而且石墨烯還能重復利用；此外我們的研發(fā)成果也為在石墨烯上生長(cháng)高質(zhì)量單晶半導體元 件提供了一個(gè)通用準則。”
IBM投資30億美元于石墨烯能 可降低藍光LED成本
將SiC晶圓片的硅汽化之后，能剝離出單層石墨烯，并將之轉移到任何一種基板上，例如結晶硅。因為在將生長(cháng)于其上的薄膜剝離后，完整的石墨烯層并沒(méi)有被破壞，Kim也嘗試在該完美結晶石墨烯基板上生長(cháng)其他種類(lèi)的半導體組件，然后再將之轉移到其他地 方，例如軟性基板；他表示，這種技術(shù)有機會(huì )催生高頻晶體管、光探測器、生物傳感器以及其他“后硅時(shí)代”組件，IBM已經(jīng)為此在接下來(lái)五年投資30億美元。
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