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| 新疆理化所硅基光電探測研究取得新進(jìn)展 |
| 來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2013-12-24 16:04:47 瀏覽次數： |
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（中國粉體技術(shù)網(wǎng)/劉莉）實(shí)現高效光電探測一直是微電子領(lǐng)域和材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。硅基探測是眾多光電探測器中最實(shí)用化的一種方法，而構筑于硅基底上的納米材料光電探測器研究是目前科研人員高度關(guān)注的課題。多數的構筑于硅基底上的納米結構采用的硅基底為表面熱氧化的硅片，一般氧化層（SiO2層）結晶性好、漏電流小、避免影響目標納米結構本身的光電信號。然而，目前該方面的研究卻忽略了硅本身作為一種很好的吸光半導體和光電轉換的優(yōu)勢。
中科院新疆理化技術(shù)研究所環(huán)境科學(xué)與技術(shù)研究室科研人員首次利用硅片表面熱氧化層的非高質(zhì)量特點(diǎn)產(chǎn)生漏電流，從而不但有效利用了硅片的吸光特點(diǎn)，而且實(shí)現了將光電轉換的光電流有效輸出的目的。研究人員通過(guò)簡(jiǎn)單工藝將不同金屬（Au、Ag、Al）電極膜構筑在SiO2表面，實(shí)現了高效、穩定的光電流輸出。
研究發(fā)現，該方法構筑的光電探測器感光響應時(shí)間小于0.1毫秒，而恢復時(shí)間僅為0.2毫秒。在很低的驅動(dòng)電壓如1.0毫伏及10毫伏下，光暗電流比分別達到388和40，因而可以利用納米電池器件驅動(dòng)，充分體現了環(huán)保和低能耗特點(diǎn)。同時(shí)，該光電探測器在無(wú)外加驅動(dòng)電壓下，同樣可以實(shí)現高效的光電檢測。該研究為開(kāi)發(fā)硅基光電探測器提供了一種新的思路，同時(shí)為構筑于硅基底上納米結構光電探測器的基底信號的評估提供了參考。
該研究成果在線(xiàn)發(fā)表于英國皇家化學(xué)會(huì )Journal of Materials Chemistry C上，相關(guān)研究申請了國家發(fā)明專(zhuān)利。 |
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