遼寧科技大學(xué)李心慰等以硅灰、白炭黑、硅溶膠為硅源,炭黑為碳源,采用碳熱還原法合成碳化硅晶須,通過(guò)XRD及SEM對合成產(chǎn)物的物相及形貌進(jìn)行分析,探討了合成溫度(分別為1400、1450、1500、1550℃)、硅源、n(C)∶n(SiO2)對合成碳化硅晶須的影響。結果表明:n(C)∶n(SiO2)為2.4-3.6,合成溫度為1500℃,保溫3h時(shí),硅溶膠與炭黑反應沒(méi)有生成碳化硅晶須,硅灰、白炭黑與炭黑反應均生成碳化硅晶須;以硅灰為硅源合成碳化硅晶須的質(zhì)量及數量明顯優(yōu)于以白炭黑為硅源合成碳化硅晶須;合成碳化硅晶須的最佳n(C)∶n(SiO2)為3.3。
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