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      技術(shù)成果
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      摻氧氮化硅發(fā)光二極管的發(fā)光特性研究
      來(lái)源：激光與紅外    更新時(shí)間：2013-06-30 19:02:59    瀏覽次數：
       
              韓山師范學(xué)院黃銳等采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法低溫制備非晶氮化硅薄膜,在低溫下以氧氣為氣源,等離子體氧化非晶氮化硅薄膜,以這層薄作為有源層制備電致發(fā)光器件。實(shí)驗結果表明以此方法制備的器件在正向偏置電壓下可觀(guān)測到強烈的黃綠光,發(fā)光峰位于540nm,而且電致發(fā)光開(kāi)啟電壓低,僅為6V,功耗小。光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜測量表明發(fā)光來(lái)自同一種發(fā)光中心,即與Si-O相關(guān)的發(fā)光中心。


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