近日，“碳化硅新型充電樁示范工程啟動(dòng)暨技術(shù)與應用研討會(huì )”在京召開(kāi)。會(huì )上，正式啟動(dòng)了我國首個(gè)碳化硅（SiC）新型充電樁示范工程，標志著(zhù)我國碳化硅新型充電樁邁出了實(shí)際應用的第一步。
來(lái)自政府及企業(yè)代表共約100多人出席了本次會(huì )議?？萍疾吭辈块L(cháng)曹健林，科技部高新技術(shù)中心材料處史冬梅處長(cháng)出席會(huì )議并致詞，浙江大學(xué)盛況教授就國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“戰略性先進(jìn)電子材料”專(zhuān)項中“中低壓SiC材料、器件及其在電動(dòng)汽車(chē)充電設備中的應用示范”項目的進(jìn)展進(jìn)行了匯報。
隨后，出席會(huì )議的政府領(lǐng)導及產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)代表共同啟動(dòng)了以北京為起點(diǎn)面向全國推廣的“四城一會(huì )”碳化硅充電樁示范工程，并考察了由華商三優(yōu)公司、泰科天潤公司在通州馬駒橋充電場(chǎng)站開(kāi)展的大功率碳化硅器件新型充電樁示范工程。目前，充電樁運行效果良好，電能轉化效率高達96%，大大提高了充電效率與充電時(shí)間。
北京市科委從2012年開(kāi)始通過(guò)科技項目的方式對第三代半導體材料進(jìn)行系統布局，通過(guò)技術(shù)創(chuàng )新引領(lǐng)實(shí)現了核心技術(shù)突破，初步形成了從碳化硅材料、器件、封裝到應用的全產(chǎn)業(yè)鏈條。其中，天科合達公司4英寸碳化硅襯底材料實(shí)現批量生產(chǎn)，泰科天潤公司成功研制出了1200V SiC MOSFET功率器件并實(shí)現小批量化生產(chǎn)，成為國際上少數幾個(gè)能提供SiC MOSFET器件的公司之一，為推動(dòng)第三代半導體材料、器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打破國外技術(shù)壟斷奠定了良好基礎。同時(shí)市科委開(kāi)展體制機制創(chuàng )新，積極對接國家重大項目，聯(lián)合順義區政府及聯(lián)盟，共建第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng )新基地，快速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈構建和產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新生態(tài)環(huán)境培育，有力地支撐了全國科技創(chuàng )新中心建設。
資料來(lái)源：北京市科委
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