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      技術(shù)進(jìn)展
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      俄羅斯物理學(xué)家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
      來(lái)源：科技部    更新時(shí)間：2016-10-26 08:49:24    瀏覽次數：
       
      俄羅斯物理學(xué)家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
      　　
      　　俄羅斯科學(xué)院西伯利亞分院半導體物理研究所的科學(xué)家們利用多層石墨烯材料制造的閃存，無(wú)論在信息存儲速度還是保存時(shí)間方面都超過(guò)現有其它材料制成的閃存。
         
      　　據科研人員介紹，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質(zhì)（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，而隧道層和阻擋層是閃存必需的組成部分，其隧道層由氧化硅制得，阻擋層由具有高介電常數的電介質(zhì)制得。
       
      　　閃存的效率取決于存儲介質(zhì)功函數的大小，也就是電子從物質(zhì)表面逸出所消耗的能量。用來(lái)制作閃存的多層石墨烯具有的重要特點(diǎn)就是對電子具有很大的功函數，約5電子伏特。因此在石墨烯層和氧化硅邊界勢壘就會(huì )增加到大約4電子伏特。被夾在隧道和阻擋氧化物之間的石墨烯層相當于一個(gè)深勢阱，電荷進(jìn)去后就長(cháng)期貯存在那里。這就有了對閃存進(jìn)行幾何學(xué)優(yōu)化的可能，比如使用更薄的隧道層，則存儲速度可以提高2-3倍，而更大的功函數可以使電荷貯存的更長(cháng)久。
         
      　　科研人員稱(chēng)，目前他們已經(jīng)獲得了石墨烯閃存的原型，但仍然處于基礎研究階段，距工業(yè)化生產(chǎn)尚遠。

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