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      高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法
      來(lái)源：    更新時(shí)間：2013-06-11 21:39:18    瀏覽次數：
      專(zhuān)利名稱(chēng)：高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法
      專(zhuān)利持有人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
      所屬行業(yè)：
      內容摘要：發(fā)明人：高攀，陳建軍，嚴成鋒，劉熙，孔海寬，忻雋，鄭燕青，施爾畏申請人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請號：CN201210207135.6 本發(fā)明涉及一種高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法，包括：配料工序：將高純Si粉和高純C粉混合...
      信息描述
      發(fā)明人：高攀，陳建軍，嚴成鋒，劉熙，孔海寬，忻雋，鄭燕青，施爾畏   
      申請人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 
      申請號：CN201210207135.6  
              本發(fā)明涉及一種高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法，包括：配料工序：將高純Si粉和高純C粉混合均勻，其摩爾比為1：1～1.5：1；高真空熱處理工序：將高純Si和C粉放入坩堝中，然后置于加熱爐中，對加熱爐的生長(cháng)室抽高真空至9×10-4Pa以下，同時(shí)將溫度升高至600～1300℃，保持2小時(shí)以上；惰性氣體清洗工序：向生長(cháng)室中充入第一規定壓力的高純惰性氣體，保持1小時(shí)以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，該工序重復2次以上；以及高溫合成工序：在第二規定壓力的高純惰性氣體下，于反應溫度1500～2500℃下，保持反應2小時(shí)以上，而后降至室溫，即可得到氮含量在15ppm以下的高純碳化硅粉體。


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