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一種低溫制備氮化硅粉體材料的方法 |
來(lái)源: 更新時(shí)間:2013-06-11 21:08:03 瀏覽次數: |
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專(zhuān)利名稱(chēng):一種低溫制備氮化硅粉體材料的方法
專(zhuān)利持有人:山東大學(xué)
所屬行業(yè):
內容摘要:發(fā)明人:白玉俊,王成國,李木森,王正博,亓永新,朱波,王延相申請人:山東大學(xué)申請號:CN200410023753.0氮化硅(Si3N4)粉體材料的制備方法,屬于無(wú)機非金屬粉體材料制備方法技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)反應、清洗、抽濾、烘干等工藝,制備Si3N4粉體,使用的設備簡(jiǎn)單而且... |
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發(fā)明人:白玉俊,王成國,李木森,王正博,亓永新,朱波,王延相
申請人:山東大學(xué)
申請號:CN200410023753.0
氮化硅(Si3N4)粉體材料的制備方法,屬于無(wú)機非金屬粉體材料制備方法技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)反應、清洗、抽濾、烘干等工藝,制備Si3N4粉體,使用的設備簡(jiǎn)單而且安全性好,溫度只有100℃,反應物的轉化率為90%以上,反應產(chǎn)物處理簡(jiǎn)單,制備工藝穩定,生產(chǎn)效率高。產(chǎn)品高溫強度高,耐熱、耐磨,化學(xué)穩定性好;粉體的尺寸在五十納米到二百納米之間。
http://roanjohns.com/uploadfile/2013/0926/20130926091957111.pdf
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