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溫度對碳化硅粉料合成的影響

來(lái)源：電子工藝技術(shù) 更新時(shí)間：2013-06-06 10:03:38 瀏覽次數：

中國電子科技集團公司第二研究所田牧等采用高溫合成方法生成了高純碳化硅（SiC）粉。采用高純碳(C)粉和硅(Si)粉直接反應，不需外加添加劑，通過(guò)控制外部加熱使Si和C持續反應。實(shí)驗結果表明，在相同反應時(shí)間條件下，不同加熱溫度對生成的SiC粉料的粒度和純度有很大影響。當反應溫度從1920℃升高到1966℃時(shí)，生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。當溫度繼續升高，SiC粉的粒度逐漸減小。溫度高于2000℃時(shí)，SiC粉的粒度趨于約20μm。同時(shí)，X射線(xiàn)衍射圖分析表明，溫度高于2000℃時(shí)，生成的SiC粉料中C比例會(huì )明顯增加。

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