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      技術(shù)成果
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      SnO2/硅灰石抗靜電材料的制備及性能
      來(lái)源：硅酸鹽學(xué)報    更新時(shí)間：2013-06-17 14:43:12    瀏覽次數：
       
              中國礦業(yè)大學(xué)（北京）賀洋等以硅灰石為原料,五水四氯化錫為沉淀包覆劑,采用化學(xué)沉淀法,制備了一種納米SnO2/硅灰石復合抗靜電粉體材料;采用比表面積儀、粒度儀、白度儀、掃描電子顯微鏡、X射線(xiàn)衍射儀、透射電子顯微鏡和紅外光譜儀對復合材料進(jìn)行了表征,并探討了復合粉體的抗靜電機理。結果表明:硅灰石表面均勻地包覆了一層納米SnO2,比表面積由3.2m2/g提高到4.7m2/g,中位徑D50由7.62mm降低到7.01mm,電阻率從10.683kW·cm降到了2.533kW·cm。


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